[發明專利]半導體切割刀片

在審

• 申請號: 202111138103.0
• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN115847260A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 馬陽軍
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: B24B27/06
• 分類號: B24B27/06;B24D18/00;B28D5/04
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明涉及半導體加工技術領域，公開了一種半導體切割刀片，所述半導體切割刀片包括大砂層以及兩層細砂層，所述大砂層設于兩層所述細砂層之間，所述大砂層的磨粒的平均直徑大于所述細砂層的磨粒的平均直徑。在本發明實施例中，大砂層相對粗糙，因而可以提高速率，刀片進給速度快，能保持刀片的剛性，細砂層的設計使得切割后的半導體側壁變得光滑，大砂層和細砂層的配合能夠確保半導體獲得良好的切割效果，從而避免了現有技術采用單葉片的切割工藝造成半導體損壞的問題。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，特別是涉及一種半導體切割刀片。

背景技術

隨著半導體產業的發展，半導體元器件的尺寸越來越小。這對半導體切割提出了更加嚴格的要求，當前的單葉片的切割工藝，即使采用很小很薄的刀片，也容易造成半導體元器件的邊緣的破碎，從而導致半導體損壞。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種半導體切割刀片，其能夠避免現有技術采用單葉片的切割工藝造成半導體損壞的問題。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供一種所述半導體切割刀片，所述半導體切割刀片包括大砂層以及兩層細砂層，所述大砂層設于兩層所述細砂層之間，所述大砂層的磨粒的平均直徑大于所述細砂層的磨粒的平均直徑。

作為優選方案，所述大砂層的磨粒的平均直徑為200-300um,所述細砂層的磨粒的平均直徑20-30um。

作為優選方案，所述大砂層包括金剛石、c-BN、Cr-N和TiN，所述大砂層的磨粒為金剛石。

作為優選方案，所述大砂層中的金剛石體積與所述大砂層總體積的比例為1:9。

作為優選方案，所述細砂層包括金剛石、c-BN、Cr-N和TiN，所述細砂層的磨粒為金剛石。

作為優選方案，所述細砂層中的金剛石體積與所述大砂層總體積的比例為3:7。

作為優選方案，所述細砂層的密度為12-20g/立方厘米，所述大砂層的密度為8-20g/立方厘米。

作為優選方案，所述大砂層的平均厚度為0.8-1.0mm。

作為優選方案，所述細砂層的厚度為0.1-0.15mm。

相比于現有技術，本發明實施例的有益效果在于：本發明實施例提供了一種半導體切割刀片，所述半導體切割刀片包括大砂層以及兩層細砂層，所述大砂層設于兩層所述細砂層之間，所述大砂層的磨粒的平均直徑大于所述細砂層的磨粒的平均直徑。在本發明實施例中，使用所述半導體切割刀片對半導體進行切割，由于大砂層相對粗糙，因而可以提高速率，刀片進給速度快，能保持刀片的剛性，細砂層的設計使得切割后的半導體側壁變得光滑，大砂層和細砂層的配合能夠確保半導體獲得良好的切割效果，從而避免了現有技術采用單葉片的切割工藝造成半導體損壞的問題。

附圖說明

圖1是本發明實施例中的半導體切割刀片的結構示意圖；

其中，1、大砂層；2、細砂層.

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖1所示，其是本發明實施例中的半導體切割刀片的結構示意圖。

本發明實施例的半導體切割刀片包括大砂層以及兩層細砂層，所述大砂層設于兩層所述細砂層之間，所述大砂層的磨粒的平均直徑大于所述細砂層的磨粒的平均直徑。