[發明專利]一種硅片的最終拋光方法、系統以及硅片有效
| 申請號： | 202111137980.6 | 申請日： | 2021-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN113579991B | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發明（設計）人： | 崔世勛 | 申請（專利權）人： | 西安奕斯偉硅片技術有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/10 | 分類號： | B24B37/10;B24B37/34;B24B57/02;H01L21/304;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 李斌棟;沈寒酉 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 最終 拋光 方法 系統 以及 | ||
1.一種硅片的最終拋光方法，其特征在于，所述最終拋光方法包括：
在最終拋光過程中，確定拋光墊當前使用壽命所處的壽命區間；其中，所述在最終拋光過程中，確定拋光墊當前使用壽命所處的壽命區間，包括：
在所述最終拋光過程中，確定所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為0≤t≤25%T；
或者，確定所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為25%Tt≤50%T；
或者，確定所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為50%Tt≤75%T；
或者，確定所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為75%Tt≤T；
其中，t表示所述拋光墊的當前使用壽命；T表示所述拋光墊的總使用壽命；
根據所述拋光墊當前使用壽命所處的壽命區間，采用設定的拋光液以設定的供給流量對硅片進行最終拋光操作；其中，
當所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為0≤t≤25%T時，采用第一拋光液以第一供給流量對所述硅片進行最終拋光操作；
當所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為25%Tt≤50%T時，采用第二拋光液以第二供給流量對所述硅片進行最終拋光操作；
當所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為50%Tt≤75%T時，采用所述第二拋光液以第三供給流量對所述硅片進行最終拋光操作；
當所述拋光墊當前使用壽命t所處的壽命區間為75%Tt≤T時，采用所述第二拋光液以所述第三供給流量對所述硅片進行最終拋光操作；
其中，所述第二拋光液的混合比小于所述第一拋光液的混合比，且所述第一供給流量所述第二供給流量所述第三供給流量。
2.根據權利要求1所述的最終拋光方法，其特征在于，所述第二拋光液的混合比比所述第一拋光液的混合比降低5%，且所述第二拋光液的混合比為標準混合比。
3.根據權利要求1所述的最終拋光方法，其特征在于，所述第一供給流量比標準供給流量增加10%；所述第二供給流量比所述標準供給流量增加20%；所述第三供給流量比所述標準供給流量增加30%。
4.根據權利要求1至3任一項所述的最終拋光方法，其特征在于，所述最終拋光方法中采用的拋光頭和拋光盤的轉速為35±15rpm。
5.根據權利要求4所述的最終拋光方法，其特征在于，所述拋光頭和所述拋光盤對硅片施加的壓力為0.008±0.003MPa。
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