[發明專利]發光二極管芯片及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202111136695.2
• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN114023855A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 戴廣超;王子川
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/54;H01L33/62
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 成亞婷

1.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：至少一個發光二極管；所述發光二極管包括：

依次層疊設置的第一半導體層、發光層和第二半導體層；其中，所述第二半導體層和所述發光層的疊層結構中設置有凹槽，所述凹槽暴露部分所述第一半導體層；

環狀支撐結構，設置于所述凹槽內；

以及，第一焊盤，位于所述環狀支撐結構的背離所述第一半導體層的一側，并穿過所述環狀支撐結構的環內區域與所述第一半導體層連接。

2.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管還包括：

電流擴展層，部分覆蓋所述第二半導體層；

鈍化層，覆蓋所述電流擴展層、所述第二半導體層、所述發光層和所述第一半導體層的裸露表面，以及所述環狀支撐結構的位于所述環內區域外的裸露表面；所述鈍化層具有第一開口和第二開口；所述第一開口暴露出所述環內區域，所述第一焊盤設置于所述第一開口內；所述第二開口暴露出部分所述電流擴展層；

第二焊盤，設置于所述第二開口內，與所述電流擴展層連接。

3.如權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述環狀支撐結構與所述凹槽的側壁之間具有間隔；所述鈍化層的部分填充所述間隔。

4.如權利要求1～3中任意一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，

所述環內區域的徑向尺寸包括：1μm～3μm；

所述凹槽的徑向尺寸包括：12μm～30μm。

5.如權利要求1～3中任意一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述環狀支撐結構包括：沿遠離所述第一半導體層的方向層疊設置的第一環狀支撐層和第二環狀支撐層；其中，

所述第一環狀支撐層的厚度與所述發光層的厚度相同；

所述第二環狀支撐層的厚度與所述第二半導體層的厚度相同。

6.如權利要求5所述的發光二極管芯片，其特征在于，

所述第一環狀支撐層的材料與所述發光層的材料相同；

所述第二環狀支撐層的材料與所述第二半導體層的材料相同。

7.一種發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上生長外延層；所述外延層包括依次層疊的第一半導體材料層、發光材料層及第二半導體材料層；

將所述發光材料層和所述第二半導體材料層圖案化，形成發光層、第二半導體層、以及環狀支撐結構；所述第二半導體層和所述發光層的疊層結構中具有凹槽，所述環狀支撐結構位于所述凹槽內；

將所述第一半導體材料層圖案化，形成第一半導體層；

在所述環狀支撐結構的背離所述第一半導體層的一側形成第一焊盤和第二焊盤，所述第二焊盤與所述第二半導體層連接，所述第一焊盤穿過所述環狀支撐結構的環內區域與所述第一半導體層連接。

8.如權利要求7所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，

在所述環狀支撐結構的背離所述第一半導體層的一側形成第一焊盤和第二焊盤之前，所述制備方法還包括：在所述第二半導體層的背離所述發光層的表面形成電流擴展層；在所述第一半導體層、所述發光層、所述第二半導體層和所述電流擴展層的裸露表面、以及所述環狀支撐結構的位于所述環內區域外的裸露表面上形成鈍化層；其中，所述鈍化層具有第一開口和第二開口；所述第一開口暴露出所述環內區域，所述第二開口暴露出部分所述電流擴展層；

所述在所述環狀支撐結構的背離所述第一半導體層的一側形成第一焊盤和第二焊盤，包括：在所述第一開口內形成所述第一焊盤，在所述第二開口內形成所述第二焊盤，所述第二焊盤通過所述電流擴展層與所述第二半導體層連接。

9.如權利要求8所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述環狀支撐結構與所述凹槽的側壁之間具有間隔；所述鈍化層的部分填充所述間隔。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括：驅動電路，以及與所述驅動電路連接的發光單元；其中，

所述發光單元包括如權利要求1～6中任一項所述的發光二極管芯片。