[發明專利]包括下方具有含摻雜劑的多晶區的多晶電阻器的結構

在審

• 申請號: 202111133077.2
• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN114335340A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: Y·T·尼古;S·P·阿杜蘇米利;S·M·尚克;M·J·齊拉克;M·H·余
• 申請（專利權）人: 格芯（美國）集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01L27/13;H01L21/84
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 林瑩瑩;牛南輝

1.一種結構，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底之上的多晶電阻器區，所述多晶電阻器區包括多晶形態的半導體材料；以及

位于所述多晶電阻器區和所述半導體襯底之間的含摻雜劑的多晶區，

其中所述含摻雜劑的多晶區中的摻雜劑包括惰性氣體元素。

2.根據權利要求1所述的結構，其中，所述含摻雜劑的多晶區接觸所述多晶電阻器區的下側。

3.根據權利要求1所述的結構，還包括：位于所述多晶電阻器區和所述含摻雜劑的多晶區之間的氧化物層。

4.根據權利要求3所述的結構，其中，所述氧化物層是溝槽隔離布置的一部分。

5.根據權利要求3所述的結構，其中，所述氧化物層是柵極電介質層的一部分。

6.根據權利要求1所述的結構，還包括：位于所述多晶電阻器區上的第一接觸和第二接觸，所述第一接觸和所述第二接觸在空間上分開。

7.根據權利要求6所述的結構，還包括：位于所述多晶電阻器區上的硅化物層，所述硅化物層從所述第一接觸延伸到所述第二接觸。

8.根據權利要求6所述的結構，其中，所述第一接觸到所述第二接觸位于不連續的硅化物層上，所述不連續的硅化物層位于所述多晶電阻器區上。

9.根據權利要求1所述的結構，其中，所述多晶電阻器區包括多晶硅，并且所述半導體襯底包括單晶硅。

10.根據權利要求1所述的結構，其中，所述摻雜劑包括氬(Ar)。

11.根據權利要求1所述的結構，還包括：位于在所述半導體襯底之上的有源器件，并且其中所述有源器件包括單晶主體，并且所述含摻雜劑的多晶區在所述有源器件下方延伸，

其中所述有源器件包括與所述多晶電阻器區位于同一層的多晶柵極。

12.根據權利要求1所述的結構，其中，所述半導體襯底包括絕緣體上半導體(SOI)襯底，所述絕緣體上半導體(SOI)襯底包括絕緣體上半導體(SOI)層，所述絕緣體上半導體(SOI)層位于體半導體襯底之上的掩埋絕緣體層之上，并且

所述結構還包括：位于所述SOI襯底之上的有源器件，并且其中摻雜劑損傷的多晶區不在所述有源器件下方延伸。

13.根據權利要求1所述的結構，還包括：位于所述含摻雜劑的多晶區下方的所述半導體襯底中的阱區。

14.一種結構，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底之上的多晶電阻器區，所述多晶電阻器區包括多晶形態的半導體材料；

位于所述多晶電阻器區和所述半導體襯底之間的含氬多晶區；以及

位于所述半導體襯底之上的有源器件，其中所述有源器件包括單晶主體，并且所述含氬多晶區在所述有源器件下方延伸。

15.根據權利要求14所述的結構，其中，所述含氬多晶區接觸所述多晶電阻器區的下側。

16.根據權利要求14所述的結構，還包括：位于所述多晶電阻器區和所述含氬多晶區之間的氧化物層，并且其中所述氧化物層是以下中的一者的一部分：溝槽隔離布置和柵極電介質層。

17.根據權利要求14所述的結構，還包括：位于所述多晶電阻器區上的第一接觸和第二接觸，所述第一接觸和所述第二接觸在空間上分開，并且

所述結構還包括：位于所述多晶電阻器區上的硅化物層，所述硅化物層從所述第一接觸延伸到所述第二接觸。