[發明專利]控制集成電路和降壓電源變換器

在審

• 申請號: 202111131885.5
• 申請日: 2021-09-26
• 公開（公告）號: CN113746332A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 王衛江
• 申請（專利權）人: 深圳市航嘉馳源電氣股份有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 趙倩

1.一種控制集成電路，其特征在于，包括：

半導體開關模塊，被配置為根據高電平驅動信號導通并生成第一低電平，或者根據低電平驅動信號關閉并生成第一高電平；

場效應管開關模塊，與所述半導體開關模塊和輔助電源模塊電連接，被配置為根據所述第一低電平和所述輔助電源模塊導通并生成第二高電平，或者根據所述第一高電平關閉并生成第二低電平；

二極管模塊，與所述場效應管開關模塊電連接，被配置為鉗位所述場效應管開關模塊；

三極管驅動模塊，與所述場效應管開關模塊和所述輔助電源模塊電連接，被配置為根據所述第二高電平和所述輔助電源模塊增加輸出電壓直至開關晶體管導通；或者根據所述第二低電平減小輸出電壓直至所述開關晶體管關閉。

2.如權利要求1所述的控制集成電路，其特征在于，所述半導體開關模塊包括第一電阻、第六電阻和第二NPN型三極管；

所述第一電阻的一端與所述驅動信號電連接，所述第一電阻的另一端與所述第二NPN型三極管的基極電連接，所述第二NPN型三極管的集電極與所述第六電阻的一端電連接；

或者，所述半導體開關模塊包括第一電阻、第六電阻和第二NMOS管；

所述第一電阻的一端與所述驅動信號電連接，所述第一電阻的另一端與所述第二NMOS管的柵極電連接，所述第二NMOS管的漏極與所述第六電阻的一端電連接。

3.如權利要求2所述的控制集成電路，其特征在于，所述場效應管開關模塊包括第二電阻、第七電阻和第三PMOS管；

所述第二電阻的一端與所述第六電阻的另一端電連接，所述第二電阻的另一端與所述第七電阻的一端和所述第三PMOS管的柵極電連接，所述第三PMOS管的源極和所述第七電阻的另一端與所述輔助電源模塊電連接。

4.如權利要求3所述的控制集成電路，其特征在于，所述三極管驅動模塊包括第三電阻、第四電阻、第四NPN型三極管、第五PNP型三極管和第五電阻；

所述第三電阻的一端與所述第三PMOS管的漏極電連接，所述第三電阻的另一端與第四NPN型三極管的基極、所述第五PNP型三極管的基極和所述第四電阻的一端電連接，所述第四NPN型三極管的集電極與所述輔助電源模塊電連接，所述第四NPN型三極管的發射極和所述第五PNP型三極管的發射極與所述第五電阻的一端電連接，所述第四電阻的另一端和所述第五PNP型三極管的集電極接地。

5.如權利要求2所述的控制集成電路，其特征在于，所述半導體開關模塊還包括第十電阻；

所述第十電阻的一端與所述第二NPN型三極管的基極電連接，所述第十電阻的另一端與所述第二NPN型三極管的發射極電連接；

或者，所述第十電阻的一端與所述第二NMOS管的柵極電連接，所述第十電阻的另一端與所述第二NMOS管的源極電連接。

6.如權利要求3所述的控制集成電路，其特征在于，所述場效應管開關模塊還包括第三二極管、第十四電阻和第八NPN三極管；

所述第三二極管的負極與所述第二電阻的一端、所述第十四電阻的一端和第八NPN三極管的基極電連接，所述第三二極管的正極與所述第八NPN三極管的發射極、所述第七電阻的一端和所述第三PMOS管的柵極電連接，所述第十四電阻的另一端和所述第八NPN三極管的集電極與所述輔助電源模塊電連接。