[發明專利]超晶格超大規模集成電路

有效

• 申請號: 202111131224.2
• 申請日: 2019-05-06
• 公開（公告）號: CN113871461B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 林和
• 申請（專利權）人: 林和
• 主分類號: H01L29/15
• 分類號: H01L29/15;H01L29/8605;H01L29/732;H01L29/735;H01L29/78;H01L29/86;H01L29/93;H01L27/02
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 朱健

1.一種超晶格超大規模集成電路，其特征在于，包括：

襯底；

過渡層，設置在所述襯底上方；

元器件層，設置在所述過渡層上方，元器件層為包含二維電子氣與二維空穴氣的器件所構建的超晶格集成電路；

所述器件包括：超晶格電阻與變阻器；

從截面的視角出發，所述超晶格電阻與變阻器包括：

第七超晶格本征層，設置于所述過渡層上方；

第三超晶格P型層，設置在所述第七超晶格本征層上方；

第八超晶格本征層，設置在所述第三超晶格P型層的上方；

第二超晶格低阻N型層，設置在所述第八超晶格本征層上方；

第五P+導電層和第五N+導電層從所述第二超晶格低阻N型層的上表面并向垂直于所述第二超晶格低阻N型層的方向向下貫穿至所述第七超晶格本征層的下表面；

第八溝道絕緣層，從所述第二超晶格低阻N型層的上表面并向垂直于所述第二超晶格低阻N型層的方向向下貫穿至所述第七超晶格本征層的下表面，所述第五P+導電層和第五N+導電層設置在所述第八溝道絕緣層內；

一個第二十歐姆接觸層、一個第二十一歐姆接觸層和一個第二十二歐姆接觸層為一組，共有兩組；

第二十歐姆接觸層，設置在所述第二超晶格低阻N型層上方并與所述第二超晶格低阻N型層接觸；

第二十一歐姆接觸層，設置在所述第五N+導電層上方并與所述第五N+導電層接觸；

第二十二歐姆接觸層，設置在所述第五P+導電層上方并與所述第五P+導電層接觸；

第十九介電保護層，設置在所述第二十歐姆接觸層和第二十一歐姆接觸層、第二十歐姆接觸層和第二十二歐姆接觸層之間；

第二十介電保護層，設置所述第二十一歐姆接觸層、第二十二歐姆接觸層外側；

從俯視且透視的視角出發，第八溝道絕緣層為留有工型空缺的環形；在工型空缺的兩端分別設置一組第二十歐姆接觸層、第二十一歐姆接觸層和第二十二歐姆接觸層。

2.如權利要求1所述的超晶格超大規模集成電路，其特征在于，所述襯底采用硅,?鍺或化合物半導體。

3.如權利要求1所述的超晶格超大規模集成電路，其特征在于，所述過渡層采用二氧化硅、氮化硅和化合物半導體層其中一種。

4.如權利要求1所述的超晶格超大規模集成電路，其特征在于，襯底底部均勻分布有多個通孔。

5.如權利要求1所述的超晶格超大規模集成電路，其特征在于，第三超晶格P型層和第二超晶格低阻N型層，既可以采用同質的半導體超晶格層，?也可以采用異質的半導體超晶格層。