[發明專利]光檢測方法、光檢測電路、顯示屏及電子設備

在審

• 申請號: 202111124505.5
• 申請日: 2021-09-24
• 公開（公告）號: CN114485928A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 田正
• 申請（專利權）人: 榮耀終端有限公司
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42;G01J1/44;G09G3/36
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種光檢測電路，其特征在于，所述光檢測電路集成在電子設備的顯示屏內，包括：感光單元和放大讀出單元，所述感光單元和所述放大讀出單元連接；

所述感光單元用于檢測第一信號，所述第一信號根據所述電子設備周圍的光強變化而變化，其中，所述感光單元包括TFT或光電導電阻或結型光電器件；

所述放大讀出單元用于放大所述第一信號，獲得第二信號，所述第二信號指示所述電子設備周圍的光強。

2.根據權利要求1所述的光檢測電路，其特征在于，所述第二信號用于調整所述顯示屏的亮度，其中，所述第二信號指示的光強越大，所述顯示屏的亮度越高，所述第二信號指示的光強越小，所述顯示屏的亮度越低。

3.根據權利要求1或2所述的光檢測電路，其特征在于，所述感光單元包括N個并聯的TFT，N≥2。

4.根據權利要求1-3任一項所述的光檢測電路，其特征在于，所述感光單元還包括電容，所述電容與所述TFT或光電導電阻或結型光電器件并聯。

5.根據權利要求1-4任一項所述的光檢測電路，其特征在于，所述放大讀出單元包括第一MOS管，

所述第一MOS管的柵極與所述感光單元的一端相連，所述第一MOS管的源極用于接收控制電壓，所述第一MOS管的柵極用于輸入所述第一信號，所述第一MOS管的漏極用于輸出所述第二信號。

6.根據權利要求1-4任一項所述的光檢測電路，其特征在于，所述放大讀出單元包括第一MOS管，第二MOS管，

所述第一MOS管的柵極與所述感光單元的一端相連，所述第一MOS管的源極用于接收控制電壓，所述第一MOS管的漏極與所述第二MOS管的源極相連，所述第二MOS管的柵極用于接收控制電壓，所述第一MOS管的柵極用于輸入所述第一信號，所述第二MOS管的漏極用于輸出所述第二信號。

7.根據權利要求5或6所述的光檢測電路，其特征在于，所述放大讀出單元還包括第三MOS管，

所述第三MOS管的漏極與所述第一MOS管的柵極相連，所述第三MOS管的源極用于接收控制電壓，所述第三MOS管的柵極用于接收控制電壓，所述第三MOS管用于觸發所述感光單元工作。

8.根據權利要求7所述的光檢測電路，其特征在于，所述第一MOS管的源極與所述第三MOS管的源極相連。

9.根據權利要求1-8任一項所述的光檢測電路，其特征在于，所述光檢測電路位于所述顯示屏的上邊緣區域。

10.一種光檢測電路，其特征在于，所述光檢測電路集成在電子設備的顯示屏內，所述光檢測電路包括第一光檢測電路、第二光檢測電路和噪聲消除電路，所述第一光檢測電路與所述第二光檢測電路的電路結構相同，都包含感光單元和放大讀出單元，所述感光單元和所述放大讀出單元連接，其中，所述感光單元包括TFT或光電導電阻或結型光電器件，所述第一光檢測電路中的感光單元為未遮光處理的感光單元，所述第二光檢測電路中的感光單元為遮光處理后的感光單元；

所述未遮光處理的感光單元用于檢測第一信號，所述第一信號根據所述電子設備周圍的光強變化而變化；

所述第一光檢測電路的放大讀出單元用于放大所述第一信號，獲得第二信號；

所述遮光處理后的感光單元用于檢測第三信號，所述第三信號不根據所述電子設備周圍的光強變化而變化，或者，所述第三信號隨著所述電子設備周圍光強變化的趨勢小于閾值；

所述第二光檢測電路的放大讀出單元用于放大所述第三信號，獲得第四信號，所述第四信號與所述電子設備周圍的光強無關，或者，所述第四信號與所述電子設備周圍光強的關聯小于閾值；

所述噪聲消除電路用于獲得所述第二信號與所述第四信號的差值信號，所述差值信號用于指示所述電子設備周圍的光強。