[發明專利]制備三維存儲器的方法

在審

• 申請號: 202111121719.7
• 申請日: 2021-09-24
• 公開（公告）號: CN113838858A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 謝煒;張坤;王迪;周文犀
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11548
• 分類號: H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L25/18
• 代理公司: 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

1.一種制備三維存儲器的方法，其中，所述方法包括：

在晶圓的第一表面上形成柵極堆疊結構、以及覆蓋所述柵極堆疊結構的絕緣材料層，其中，所述柵極堆疊結構包括交替堆疊的層間絕緣層和柵極層，并且被劃分成臺階區和核心區，所述柵極堆疊結構的核心區中貫穿有溝道結構；

在所述絕緣材料層上形成第一應力補償層；以及

貫穿所述第一應力補償層和所述絕緣材料層形成電連接到所述溝道結構或所述柵極層的多個連接柱，

其中，所述第一應力補償層由具有高壓縮應力的材料形成。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一應力補償層由氮化硅形成。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述多個連接柱包括：

形成暴露所述柵極層的至少一部分的柵極接觸孔；

形成暴露所述溝道結構的至少一部分的溝道接觸孔；以及

利用導電材料填充所述柵極接觸孔和所述溝道接觸孔。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，形成所述柵極接觸孔包括：

圖案化所述第一應力補償層，以在所述第一應力補償層的、與待形成所述柵極接觸孔的位置對應的位置處開口；以及

利用經圖案化的第一應力補償層作為硬掩膜層，將所述絕緣材料層圖案化。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，形成所述溝道接觸孔包括：

圖案化所述第一應力補償層，以在所述第一應力補償層的、與待形成所述溝道接觸孔的位置對應的位置處開口；以及

利用經圖案化的第一應力補償層作為硬掩膜層，將所述絕緣材料層圖案化。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述晶圓的與所述第一表面相對的第二表面上形成第二應力補償層，

其中，所述第二應力補償層由具有高拉伸應力的材料形成。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一應力補償層的厚度在至的范圍內；以及

所述第二應力補償層的厚度在至的范圍內。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一應力補償層的一側上鍵合外圍電路晶圓；以及

去除所述晶圓以暴露所述溝道結構。

9.三維存儲器，包括：

柵極堆疊結構，包括交替堆疊的柵極層和層間絕緣層并且被劃分成核心區和臺階區；

溝道結構，在所述核心區中貫穿所述柵極堆疊結構；

第一應力補償層，設置在所述柵極堆疊結構上，并且具有多個開口；以及

多個連接柱，經由所述多個開口電連接至所述柵極層中的每個的在所述臺階區中的部分或所述溝道結構，

其中，所述第一應力補償層包括具有高壓縮應力的材料。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器，還包括：外圍電路，鍵合在第一應力補償層上。

11.根據權利要求9所述的三維存儲器，其中，所述第一應力補償層包括氮化硅。

12.根據權利要求11所述的三維存儲器，其中，所述第一應力補償層的厚度在至的范圍內。