[發(fā)明專利]集成FEM和ANFIS的硅通孔陣列峰值溫度快速預(yù)測(cè)方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111120059.0
• 申請(qǐng)日: 2021-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN113868946B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 諶東東;李國良;單光寶;李迪;楊銀堂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G06F30/27
• 分類號(hào): G06F30/27;G06N3/043;G06N3/084;G06N5/048;G06F113/18;G06F119/08
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50231
• 代理人: 許攀

1.一種集成FEM和ANFIS的硅通孔陣列峰值溫度快速預(yù)測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取硅通孔陣列的硅通孔半徑、硅通孔間距和絕緣層厚度；

將所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度代入到預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型中，計(jì)算得到所述硅通孔陣列的峰值溫度；

所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型包括五層，其中，第一層為：

其中，a、b和c為前件參數(shù)；并計(jì)算所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度的隸屬度，計(jì)算隸屬度的公式為：

其中，和依次為硅通孔半徑、硅通孔間距和絕緣層厚度的隸屬度函數(shù)；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第二層為：

其中，w_i表示第i條規(guī)則的可信度；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第三層為：

其中，表示歸一化后的第i條規(guī)則的可信度；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第四層為：

其中，p_i、q_i、r_i和s_i表示后件參數(shù)；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第五層為：

其中，O⁵為硅通孔陣列峰值溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成FEM和ANFIS的硅通孔陣列峰值溫度快速預(yù)測(cè)方法，其特征在于，計(jì)算所述前件參數(shù)的方法包括：

將計(jì)算得到的所述硅通孔陣列峰值溫度、預(yù)計(jì)得到的所述硅通孔陣列峰值溫度、所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度代入到預(yù)設(shè)的前件參數(shù)公式中，計(jì)算得到前件參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成FEM和ANFIS的硅通孔陣列峰值溫度快速預(yù)測(cè)方法，其特征在于，計(jì)算所述后件參數(shù)的方法包括：使用所述前件參數(shù)和最小二乘估計(jì)法計(jì)算所述后件參數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成FEM和ANFIS的硅通孔陣列峰值溫度快速預(yù)測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括：

根據(jù)計(jì)算得到的所述硅通孔陣列峰值溫度的數(shù)據(jù)與所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度的數(shù)據(jù)；

建立關(guān)于所述硅通孔陣列峰值溫度與所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度的數(shù)據(jù)庫。

5.一種集成FEM和ANFIS的硅通孔陣列峰值溫度快速預(yù)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：獲取模塊和計(jì)算模塊；所述獲取模塊用于獲取硅通孔陣列的硅通孔半徑、硅通孔間距和絕緣層厚度；所述計(jì)算模塊用于將所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度代入到預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型中，計(jì)算得到所述硅通孔陣列的峰值溫度；

所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型包括五層，其中，第一層為：

其中，a、b和c為前件參數(shù)；并計(jì)算所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度的隸屬度，計(jì)算隸屬度的公式為：

其中，和依次為硅通孔半徑、硅通孔間距和絕緣層厚度的隸屬度函數(shù)；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第二層為：

其中，w_i表示第i條規(guī)則的可信度；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第三層為：

其中，表示歸一化后的第i條規(guī)則的可信度；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第四層為：

其中，p_i、q_i、r_i和s_i表示后件參數(shù)；所述預(yù)設(shè)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)模型的第五層為：

其中，O⁵為硅通孔陣列峰值溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成FEM和ANFIS的硅通孔陣列峰值溫度快速預(yù)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述計(jì)算模塊還用于將計(jì)算得到的所述硅通孔陣列峰值溫度、預(yù)計(jì)得到的所述硅通孔陣列峰值溫度、所述硅通孔半徑、所述硅通孔間距和所述絕緣層厚度代入到預(yù)設(shè)的前件參數(shù)公式中，計(jì)算得到前件參數(shù)。