[發(fā)明專利]硅基板上解鍵合SiC片方法

在審

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• 申請日: 2021-09-24
• 公開（公告）號: CN113948459A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 嚴(yán)立巍;符德榮;李景賢
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江同芯祺科技有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/673
• 代理公司: 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 華楓

1.一種硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，所述方法用于對鍵合有多片SiC片的硅基板進(jìn)行解鍵合，所述方法包括：

將鍵合有多片SiC片的所述硅基板翻轉(zhuǎn)，使所述SiC片朝向石墨托盤并嵌入所述石墨托盤；

向所述硅基板噴灑蝕刻液，使多片所述SiC片與所述硅基板解鍵合；

移除解鍵合后的所述硅基板，并使多片所述SiC留置于所述石墨托盤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，所述硅基板的鍵合面具有多個容納槽，多片所述SiC片通過所述容納槽底壁的SiO₂鍵合于對應(yīng)的所述容納槽內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，鍵合于所述容納槽的所述SiC片的上表面高于所述硅基板的所述鍵合面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，在噴灑所述蝕刻液前，在所述硅基板上制備多個均勻分布且貫穿至SiO₂的蝕刻孔，以使所述蝕刻液經(jīng)所述蝕刻孔流至所述SiO₂，以蝕刻去除所述SiO₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，所述蝕刻孔的直徑不小于100μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，所述石墨托盤具有多個具有預(yù)設(shè)深度和預(yù)設(shè)角度的放置槽，多個所述放置槽與多片所述SiC片一一對應(yīng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，所述SiC片嵌入對應(yīng)的所述放置槽后，所述SiC片至少部分露出所述放置槽，以使所述硅基板與所述石墨托盤之間具有間隙。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，所示蝕刻液為氫氟酸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，所述硅基板的尺寸為8寸或12寸，所述硅基板上的多片所述SiC片的尺寸范圍為：2寸至6寸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板上解鍵合SiC片方法，其特征在于，解鍵合完成后，采用吸盤或真空吸附沿垂直于所述硅基板的方向移除所述硅基板。