[發(fā)明專利]DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法

在審

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• 申請日: 2021-09-24
• 公開（公告）號: CN113950193A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳天華;賀賢漢;周軼靚;徐節(jié)召;陽強俊;戴洪興
• 申請（專利權(quán)）人: 上海富樂華半導體科技有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 上海申浩律師事務(wù)所 31280
• 代理人: 趙建敏

1.一種DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，在銅箔表面加工圓形半腐蝕沉孔，其特征在于，包括如下步驟：

A、菲林圖形設(shè)計

包括位于中心的圓形非曝光圈以及環(huán)形設(shè)置在該圓形非曝光圈外的多個環(huán)形圈，其中，每個所述環(huán)形圈由交替設(shè)置的扇形非曝光區(qū)域和扇形曝光區(qū)域組成；外層環(huán)形圈中的扇形非曝光區(qū)域的中心位于內(nèi)層環(huán)形圈中扇形非曝光區(qū)域側(cè)邊延長線上；所述環(huán)形圈與所述圓形非曝光圈之間，相鄰兩個環(huán)形圈之間的區(qū)域為曝光區(qū)域，

B、沉孔加工

圖形設(shè)計完畢后，先進行顯影去除曝光區(qū)域，而后蝕刻去除非曝光區(qū)域，得到圓形半腐蝕沉孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，其特征在于：

其中，每個所述環(huán)形圈中，交替設(shè)置的扇形非曝光區(qū)域和扇形曝光區(qū)域尺寸相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，其特征在于：

其中，每個環(huán)形圈的寬度相同，為所述圓形非曝光圈直徑的2～2.2倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，其特征在于：

其中，相鄰兩個環(huán)形圈之間的間隔以及環(huán)形圈與圓形非曝光圈之間的間隔相同，為所述圓形非曝光圈的直徑的2/3～4/5。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，其特征在于：

其中，相鄰兩個環(huán)形圈中，外層環(huán)形圈中的扇形非曝光區(qū)域的個數(shù)為內(nèi)層環(huán)形圈中扇形非曝光區(qū)域個數(shù)的兩倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，其特征在于：

其中，所述環(huán)形圈中，扇形非曝光區(qū)域的外弧邊長與所述圓形非曝光圈的直徑近似，內(nèi)弧邊長為外弧邊長的50％～60％，扇形非曝光區(qū)域的高度為與所述圓形非曝光圈的直徑近似。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，其特征在于：

其中，步驟A中，菲林圖形設(shè)計為包括位于中心的圓形非曝光圈以及環(huán)形設(shè)置在該圓形非曝光圈外的第一環(huán)形圈和第二環(huán)形圈，

所述圓形非曝光圈的直徑為0.06～0.10mm；

位于所述圓形非曝光圈外的第一環(huán)形圈的內(nèi)徑為0.18～0.22mm，外徑為0.34～0.38mm；

第二環(huán)形圈的內(nèi)徑為0.45～0.50mm，外徑為0.5～0.8mm；

相鄰兩個環(huán)形圈之間的間隔以及環(huán)形圈與圓形非曝光圈之間的間隔均為0.04～0.08mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計方法，其特征在于：

其中，第一環(huán)形圈中由交替設(shè)置的七個扇形非曝光區(qū)域和七個扇形曝光區(qū)域組成，第二環(huán)形圈中由交替設(shè)置的十四個扇形非曝光區(qū)域和十四個扇形曝光區(qū)域組成，

扇形區(qū)域的內(nèi)邊長為0.03～0.07mm，外邊長為0.05～0.09mm，高為0.06～0.10mm。