[發明專利]一種超低粘附易除霜表面的制備方法

在審

• 申請號: 202111118967.6
• 申請日: 2021-09-24
• 公開（公告）號: CN114887852A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 田雪林;歐陽夢玲;黃世琳;范岳;吳成蛟;陳棋元;郭睿生
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: B05D1/18
• 分類號: B05D1/18;B05D5/00;B05D3/14;B05D3/10;B05D7/24
• 代理公司: 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367
• 代理人: 高冰

1.一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、對硅片進行反應離子束刻蝕，制備得到具有錐柱狀納米結構形貌的硅片表面；

S2、對步驟S1具有錐柱狀納米結構形貌的硅片表面進行表面活化處理，接枝羥基制備得到羥基化錐柱狀納米結構硅片表面；

S3、對步驟S2的羥基化錐柱狀納米結構硅片表面修飾兼具低表面能及滑移效果的類液體納米涂層，即完成超低粘附易除霜表面的制備。

2.根據權利要求1所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，所述兼具低表面能及滑移效果的類液體納米涂層包括全氟聚醚涂層，涂層的厚度為1-30nm。

3.根據權利要求1所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述修飾的方法包括浸涂、旋涂、化學氣相沉積。

4.根據權利要求1所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，所述反應離子束刻蝕在反應離子束刻蝕機中進行，進行反應離子束刻蝕時，將腔室抽真空至-10^-5Torr，并接入15sccm O₂以及15sccm SF₆兩種反應氣體，保持溫度為20℃，氣體壓力為20-50mtorr，調整刻蝕功率為100W，刻蝕為5-20min。

5.根據權利要求1所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，所述表面活化處理的方法包括氧氣等離子體處理、空氣等離子體處理、食人魚溶液清洗處理。

6.根據權利要求5所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，所述氧氣等離子體處理的功率為30W，O₂流量為15mtorr，樣品處理時間為5min。

7.根據權利要求5所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，所述空氣等離子體處理的功率為30W，空氣流量為15mtorr，樣品處理時間為15min。

8.根據權利要求5所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，所述食人魚溶液由98％濃硫酸與30％雙氧水按7∶3的體積比混配而成。

9.根據權利要求5所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法，其特征在于，所述食人魚溶液清洗處理為將具有錐柱狀納米結構形貌的硅片表面浸于食人魚溶液中在90-100℃下加熱1-3h。

10.采用權利要求1-9任一項所述的一種超低粘附易除霜表面的制備方法制備得到的超低粘附易除霜表面。