[發明專利]一種OLED器件

在審

• 申請號: 202111116696.0
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113838989A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 金廣;張建超;李金鈺;曹鵬;孔超;朱運遙;卿萬梅
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 崔家源;范繼晨

本公開實施例提供了一種OLED器件，至少包括依次設置的：空穴傳輸層、N型界面連接層、電子阻擋層和發光層；其中，所述N型界面連接層用于調節空穴傳輸，抑制傳輸到所述發光層的空穴比例。本公開實施例在現有空穴傳輸層和電子阻擋層之間設置了N型界面連接層，該N型界面連接層可以調節空穴傳輸，抑制傳輸到所述發光層的空穴比例，進而使電子和空穴傳輸達到平衡，減緩亮度衰減速度，提升器件效率。

技術領域

本公開涉及顯示領域，特別涉及一種OLED器件。

背景技術

OLED(即有機發光二極管)顯示面板具有自發光、驅動電壓低、對比度高、響應時間短等諸多優點，已廣泛應用于智能手機等顯示領域。

但是，目前OLED顯示面板存在亮度衰減嚴重、效率偏低等問題，進而影響了其在長壽命、低功耗等顯示領域的應用。

發明內容

有鑒于此，本公開實施例提出了一種OLED器件，用以解決現有技術的如下問題：目前OLED顯示面板存在亮度衰減嚴重、效率偏低等問題。

一方面，本公開實施例提出了一種OLED器件，至少包括依次設置的：空穴傳輸層、N型界面連接層、電子阻擋層和發光層；其中，所述N型界面連接層用于調節空穴傳輸，抑制傳輸到所述發光層的空穴比例。

在一些實施例中，所述N型界面連接層的材料至少包括以下之一：8-羥基喹啉鋰，氟化鋰，氮化鋰，氟化銫，碳酸銫。

在一些實施例中，所述N型界面連接層的厚度處于0.05nm-0.5nm之間。

在一些實施例中，所述空穴傳輸層的厚度在80nm-120nm之間，所述電子阻擋層的厚度在1nm-10nm之間，所述發光層的厚度在15nm-100nm之間。

在一些實施例中，還包括依次設置的：陽極層和空穴注入層，其中，所述空穴注入層與所述空穴傳輸層連接；空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，其中，所述空穴阻擋層與所述發光層連接。

在一些實施例中，所述空穴注入層的厚度在2nm-20nm之間，所述空穴阻擋層的厚度在1nm-10nm之間，所述電子傳輸層的厚度約在20nm-50nm之間，所述電子注入層的厚度約在0.5nm-1.5nm之間。

在一些實施例中，所述空穴注入層采用P型摻雜材料。

在一些實施例中，所述P型摻雜材料的摻雜濃度在0.5％至50％之間。

在一些實施例中，所述電子傳輸層采用N型摻雜材料。

在一些實施例中，所述電子注入層采用的材料至少包括以下之一：氟化鋰，鋰，碳酸銫，氟化銫，鈣。

本公開實施例在現有空穴傳輸層和電子阻擋層之間設置了N型界面連接層，該N型界面連接層可以調節空穴傳輸，抑制傳輸到所述發光層的空穴比例，進而使電子和空穴傳輸達到平衡，減緩亮度衰減速度，提升器件效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本公開實施例提供的OLED器件的結構示意圖一；

圖2為本公開實施例提供的OLED器件的結構示意圖二；

圖3為本公開實施例提供的不同Liq厚度的OLED器件在不同電流密度下的效率曲線；

圖4為本公開實施例提供的不同Liq厚度的OLED器件的電流密度-電壓曲線；

圖5為本公開實施例提供的不同Liq厚度的OLED器件的LT95壽命曲線。