[發明專利]一種諧振器

在審

• 申請號: 202111114980.4
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113810012A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 高峰;周杰;劉婕妤;童欣;孫成亮
• 申請（專利權）人: 武漢敏聲新技術有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種諧振器，其特征在于，包括襯底以及依次設置于所述襯底上的二氧化硅層和鈮酸鋰薄膜層，其中，所述鈮酸鋰薄膜層上劃分有以預設距離相間隔的第一刻蝕區域和第二刻蝕區域，對所述鈮酸鋰薄膜層的第一刻蝕區域和第二刻蝕區域分別刻蝕并穿透所述二氧化硅層至露出所述襯底，在所述第一刻蝕區域和所述第二刻蝕區域內填充保護墻，所述保護墻至少超出所述二氧化硅層的上表面。

2.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，還包括依次形成于所述鈮酸鋰薄膜層上的下電極層、壓電層和上電極層，其中，所述襯底的上表面形成有聲反射結構，所述聲反射結構、所述下電極、所述壓電層和所述上電極在層疊方向上的交疊區域形成諧振區域；

所述第一刻蝕區域和所述第二刻蝕區域環繞于所述諧振區域的外周。

3.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，在所述第一刻蝕區域和所述第二刻蝕區域的對接位置，所述第一刻蝕區域和/或所述第二刻蝕區域的端部形成有緩沖結構，以在對接位置形成用于限定刻蝕介質的路徑的緩沖通道。

4.根據權利要求3所述的諧振器，其特征在于，所述緩沖結構在所述襯底上的正投影為U形，所述第一刻蝕區域設置有緩沖結構，所述第二刻蝕區域的端部伸入所述第一刻蝕區域的緩沖結構之間，或者，所述第二刻蝕區域設置有緩沖結構，所述第一刻蝕區域的端部伸入所述第二刻蝕區域的緩沖結構之間。

5.根據權利要求3所述的諧振器，其特征在于，所述第一刻蝕區域和所述第二刻蝕區域均設置有緩沖結構，所述第一刻蝕區域的緩沖結構與所述第二刻蝕區域的緩沖結構相配合。

6.根據權利要求5所述的諧振器，其特征在于，所述緩沖結構在所述襯底上的正投影為U形，所述第一刻蝕區域的緩沖結構與所述第二刻蝕區域的緩沖結構呈交錯設置。

7.根據權利要求5所述的諧振器，其特征在于，所述緩沖結構在所述襯底上的正投影為圓弧形或蝸殼形，所述第一刻蝕區域的緩沖結構與所述第二刻蝕區域的緩沖結構呈同心設置。

8.根據權利要求3-7中任意一項所述的諧振器，其特征在于，所述鈮酸鋰薄膜層上形成有釋放孔，所述釋放孔穿透所述鈮酸鋰薄膜層至露出所述二氧化硅層；

所述第一刻蝕區域的緩沖結構和/或所述第二刻蝕區域的緩沖結構位于遠離所述釋放孔的一側。

9.根據權利要求1-7任意一項所述的諧振器，其特征在于，所述保護墻的上表面與所述鈮酸鋰薄膜層的上表面相平齊。

10.根據權利要求1-7任意一項所述的諧振器，其特征在于，所述保護墻的材料包括二氧化硅、碳化硅和氮化硅中任意一種或至少兩種的組合。