[發(fā)明專利]一種硼摻雜選擇性發(fā)射極電池的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111114807.4
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113871512B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發(fā)明（設計）人: 任常瑞;張佳舟;高治坤;符黎明
• 申請（專利權）人: 常州時創(chuàng)能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硼摻雜選擇性發(fā)射極電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）去除硅片表面損傷層；

2）掩膜前驅體鏈式沉積：在鏈式設備中對硅片表面沉積掩膜前驅體，沉積采用刮涂或滴涂，使硅片表面覆蓋掩膜前驅體；

所述掩膜前驅體通過如下步驟制備：將14g的正丙醇鋯、30mL的無水乙醇、1mL濃度0.1mol/L的鹽酸、70mL的水以及2g甲基三乙氧基硅烷均勻混合后，在40℃條件下恒溫水解2h，得到透明溶膠，該透明溶膠為掩膜前驅體；通過調控前驅體中正丙醇鋯的比例，來調控氧化鋯膜的厚度；

3）掩膜前驅體鏈式固化：在鏈式設備中采用波長為800-2000nm的光對硅片表面覆蓋的掩膜前驅體進行加熱，加熱時通入氧氣，加熱的溫度控制在300℃，加熱的時間控制在150s，使掩膜前驅體固化為掩膜；所得掩膜為氧化鋯膜，該氧化鋯膜的厚度為348nm；

4）掩膜激光開槽：采用激光去除硅片表面部分區(qū)域的掩膜，所述硅片表面部分區(qū)域與硼摻雜的重摻區(qū)相對應；

5）硼擴散：硼擴散采用傳統(tǒng)管式擴散+推進+氧化的擴散模式，擴散溫度850-950℃，擴散時間10-30min，擴散氛圍BBr₃:O₂為300:75；推進溫度為950-1100℃，氮氣氛圍推進10-30min；氧化溫度為950-1200℃，氧化氛圍N₂:O₂=5:15，氧化30-60min；

掩膜清洗：在10-20%HF濃度下清洗300-600s，完全清除掩膜且無殘留；

6）背面及邊緣刻蝕；

7）背面拋光；

8）背面制備隧穿氧化層；

9）poly Si原位摻雜；

10）去繞鍍；

11）去PSG；

12）鈍化及金屬化。