[發(fā)明專利]碲鋅鎘晶體的生長方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111113938.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113818086B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 狄聚青;李康;蘇湛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B29/48 | 分類號(hào): | C30B29/48;C30B11/00 |
| 代理公司: | 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 張向琨 |
| 地址: | 239004 安徽省滁州市瑯琊區(qū)瑯琊經(jīng)濟(jì)*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碲鋅鎘 晶體 生長 方法 | ||
本公開提供一種碲鋅鎘晶體的生長方法,其包括步驟:步驟一,將碲鋅鎘多晶塊中封入鎘粒;步驟二,將多個(gè)封入有鎘粒的碲鋅鎘多晶塊裝入坩堝中;步驟三,對(duì)坩堝中的所述多個(gè)封入有鎘粒的碲鋅鎘多晶塊施加中頻感應(yīng),直至坩堝中全部封入有鎘粒的碲鋅鎘多晶塊熔化,以形成熔體;步驟四,維持對(duì)熔體施加中頻感應(yīng),采用坩堝下降法開始晶體生長直到晶體生長結(jié)束;步驟五,晶體生長結(jié)束后,停止中頻感應(yīng),降溫至室溫并取出碲鋅鎘晶體。碲鋅鎘多晶電阻率很高,塞入的鎘粒在中頻感應(yīng)下熔化、升溫并熔化附近的碲鋅鎘多晶,產(chǎn)生碲鋅鎘熔體,進(jìn)而熔體對(duì)流被增強(qiáng),能夠獲得單晶比例高位錯(cuò)密度地的高質(zhì)量的碲鋅鎘晶體。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及晶體制備領(lǐng)域,尤其涉及一種碲鋅鎘晶體的生長方法。
背景技術(shù)
碲鋅鎘晶體是一種重要的輻射探測半導(dǎo)體晶體。碲鋅鎘原子數(shù)高(約為 50)、密度高(6g/cm3),即使在體積小于4mm3的情況下該材料也能夠保證對(duì)能量低于180keV的粒子有較高的量子探測效率。碲鋅鎘單元探測器的面積或者分立電極單體探測器的節(jié)距尺寸可以做的很小,能夠保證制得空間分辨率很好的成像系統(tǒng)。碲鋅鎘探測器的能譜分辨率要比閃爍體探測器的能譜分辨率高很多。碲鋅鎘探測器具有較低的漏電流,有利于它們?cè)谛」β始呻娮酉到y(tǒng)中的應(yīng)用。因此,碲鋅鎘晶體在核醫(yī)學(xué)、高能物理、輻射探測、探礦等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
碲鋅鎘晶體及其熔體的導(dǎo)熱性都很差,固化潛熱難以散發(fā),熔體對(duì)流不暢,導(dǎo)致固液界面不易控制。碲鋅鎘晶體的堆垛缺陷能(層錯(cuò))很低,在晶體生長過程中,細(xì)微的溫度波動(dòng)和界面波動(dòng)都能引起孿晶產(chǎn)生。為了克服晶體生長過程中的困難,研究者開發(fā)了多種碲鋅鎘晶體生長方法,包括VB法、 VGF法、THM法等多種,但均無法解決熔體對(duì)流不暢導(dǎo)致的晶體生長缺陷。因此,有必要開發(fā)一種新的碲鋅鎘晶體生長技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于背景技術(shù)中存在的問題,本公開的目的在于提供一種碲鋅鎘晶體的生長方法,其至少能夠提高熔體的對(duì)流。
由此,在一些實(shí)施例中,一種碲鋅鎘晶體的生長方法包括步驟:步驟一,將碲鋅鎘多晶塊中封入鎘粒;步驟二,將多個(gè)封入有鎘粒的碲鋅鎘多晶塊裝入坩堝中;步驟三,對(duì)坩堝中的所述多個(gè)封入有鎘粒的碲鋅鎘多晶塊施加中頻感應(yīng),直至坩堝中全部封入有鎘粒的碲鋅鎘多晶塊熔化,以形成熔體;步驟四,維持對(duì)熔體施加中頻感應(yīng),采用坩堝下降法開始晶體生長直到晶體生長結(jié)束;步驟五,晶體生長結(jié)束后,停止中頻感應(yīng),降溫至室溫并取出碲鋅鎘晶體。
在一些實(shí)施例中,在步驟一中,在碲鋅鎘多晶塊中開非貫穿孔,并塞入鎘粒,之后用碲鋅鎘多晶柱塞住該開孔,即將鎘粒封入碲鋅鎘多晶塊。
在一些實(shí)施例中,在步驟二中,坩堝為pBN或者石英坩堝。
在一些實(shí)施例中,在步驟一中,鎘粒的重量為2g-5g,單個(gè)碲鋅鎘多晶塊的重量為1-6kg。
在一些實(shí)施例中,在步驟一中,鎘粒為球形。
在一些實(shí)施例中,在步驟三和步驟四中,中頻感應(yīng)頻率為8kHz-15kHz。
在一些實(shí)施例中,在步驟三和步驟四中,中頻感應(yīng)頻率相同。
在一些實(shí)施例中,在步驟五中,自然冷卻降溫至室溫。
本公開的有益效果如下:在本公開的碲鋅鎘晶體的生長方法中,碲鋅鎘多晶電阻率很高,為了方便的熔化碲鋅鎘多晶,在碲鋅鎘多晶中塞入鎘粒,鎘粒在中頻感應(yīng)下熔化、升溫并熔化附近的碲鋅鎘多晶,產(chǎn)生碲鋅鎘熔體,導(dǎo)電的碲鋅鎘熔體在中頻感應(yīng)下迅速產(chǎn)生電磁感應(yīng),從而維持穩(wěn)定的熔體狀態(tài),導(dǎo)電的碲鋅鎘熔體和中頻感應(yīng)電磁場的直接作用產(chǎn)生感應(yīng)電流,碲鋅鎘熔體在電磁場作用下產(chǎn)生電磁力,并發(fā)生流動(dòng),從而起到增強(qiáng)熔體對(duì)流的作用,能夠獲得單晶比例高位錯(cuò)密度地的高質(zhì)量的碲鋅鎘晶體。此外,在中頻感應(yīng)電磁作用下,導(dǎo)電的熔體發(fā)熱,維持熔體熔化,不需要傳統(tǒng)技術(shù)那樣地對(duì)坩堝從外部加熱的額外的發(fā)熱體。
具體實(shí)施方式
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