[發明專利]一種三維納米通孔的制造方法在審
| 申請號： | 202111112640.8 | 申請日： | 2021-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN113805433A | 公開（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發明（設計）人： | 張琛;劉紫涵;侯嘉慶;白晉濤 | 申請（專利權）人： | 西北大學 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 韓迎之 |
| 地址： | 710127 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三維 納米 制造 方法 | ||
1.一種三維納米通孔的制造方法，基于激光直寫系統，其特征在于，包括以下步驟：
制備基片：制備具有微米孔的基片并在所述基片的一面涂敷負性光刻膠薄膜；
進行激光直寫：在所述基片的微米孔位置進行多次曝光；
進行光刻膠顯影：對所述負性光刻膠進行顯影，得到三維納米通孔。
2.根據權利要求1所述的一種三維納米通孔的制造方法，其特征在于，所述激光直寫過程包括：
調制激光直寫系統中的光場參數，獲得環形空間結構光；
校準激光焦點到微米孔中心位置，使激光焦點位于負性光刻膠薄膜中進行多次曝光。
3.根據權利要求2所述的一種三維納米通孔的制造方法，其特征在于，獲得環形空間結構光后的具體過程包括：
將所述環形空間結構光外徑調節至大于所述基片上的微米孔直徑，隨后逐次減小空間結構光拓撲數，直至控制環形空間結構光尺寸至拓撲數為1，每對應一個不同的拓撲數時進行一次曝光。
4.根據權利要求3所述的一種三維納米通孔的制造方法，其特征在于，三維納米通孔的制造過程還包括：通過控制所述環形空間結構光的曝光劑量來控制三維納米通孔的直徑。
5.根據權利要求3所述的一種三維納米通孔的制造方法，其特征在于，所述環形空間結構光的中心區域的光強為零。
6.根據權利要求2所述的一種三維納米通孔的制造方法，其特征在于，校準激光焦點到微米孔中心位置，使激光焦點位于負性光刻膠薄膜中進行多次曝光的具體過程包括：處于外圍環形空間結構光的曝光劑量高于內側環形空間結構光的曝光劑量。
7.根據權利要求1所述的一種三維納米通孔的制造方法，其特征在于，所述進行顯影包括：顯影液對所述負性光刻膠進行顯影，移除零光強區域對應的光刻膠，生成納米通孔。
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