[發明專利]包括鐵電外圍部分的鈍化光電二極管

在審

• 申請號: 202111110714.4
• 申請日: 2021-09-18
• 公開（公告）號: CN114256360A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 阿卜杜卡迪爾·阿利亞內;哈奇萊·卡亞
• 申請（專利權）人: 原子能和替代能源委員會
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18;H01L27/144
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 李慧然;程強

1.一種光電二極管(1)，具有彼此相對并平行于主平面的第一表面(10a)和第二表面(10b)，包括：

o由半導體材料制成的檢測部分(10)，其包括：

·摻雜有第一導電類型并與所述第一表面(10a)齊平的的第一區域(11)，所述第一區域用于進行電偏置；

·摻雜有與所述第一類型相反的第二導電類型并與所述第二表面(10b)齊平的第二區域(12)；

·位于所述第一區域(11)與所述第二區域(12)之間的中間區域(13)；

o在所述第一表面(10a)上覆蓋所述檢測部分(10)并與所述第一區域(11)接觸的介電層(30)；

o由摻雜有所述第二導電類型的半導體材料制成并用于進行電偏置的半導體外圍部分(25)，所述半導體外圍部分在所述主平面中圍繞所述檢測部分(10)并與所述第二區域(12)接觸外圍；

o由鐵電材料制成的鐵電外圍部分(26.1)，其中，

·所述鐵電外圍部分位于所述中間區域(13)與所述介電層(30)之間并與所述中間區域和所述介電層接觸，并且

·所述鐵電外圍部分位于所述第一區域(11)與所述半導體外圍部分(25)之間并在所述主平面中圍繞所述第一區域(11)。

2.根據權利要求1所述的光電二極管(1)，其中，所述鐵電外圍部分(26.1)在一側與所述第一區域(11)橫向接觸，并在另一側與所述半導體外圍部分(25)橫向接觸。

3.根據權利要求1所述的光電二極管(1)，其中，所述檢測部分(10)具有在所述主平面中限定被所述鐵電外圍部分(26.1)圍繞的凸出部分(13.1)的外圍凹入(27)。

4.根據權利要求1所述的光電二極管(1)，其中，所述檢測部分(10)是基于鍺的，并且所述外圍半導體部分(25)是基于硅的。

5.根據權利要求1所述的光電二極管(1)，其中，所述鐵電外圍部分(26.1)是基于選自PZT、PLZT、BT、PT、PLT、PVDF和選自HfO₂、ZnO和AlN的材料的。

6.根據權利要求1所述的光電二極管(1)，其中，所述介電層(30)被與所述第一區域(11)接觸的中央金屬化部(31.1)和與所述半導體外圍部分(25)接觸的橫向金屬化部(31.2)穿過。

7.根據權利要求6所述的光電二極管(1)，包括在所述介電層(30)之上延伸并與所述橫向金屬化部(31.2)接觸的外圍電極(32.2)，所述外圍電極圍繞所述第一區域(11)并與所述鐵電外圍部分(26.1)豎直對齊。

8.一種光電二極管(1)陣列，包括多個根據權利要求1至7中任一項所述的光電二極管(1)，其中，與第二區域(12)相對的第一區域(11)的上表面是共面的，并且第二表面(10b)是共面的。

9.一種光電器件，包括根據權利要求8所述的光電二極管(1)陣列和被設計成對所述光電二極管進行反向偏置且與所述光電二極管陣列混合的控制芯片。