[發(fā)明專利]具有可變路徑損耗的近場通信裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111110312.4
• 申請日: 2021-09-22
• 公開（公告）號: CN114257273A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設計）人: 安東尼·凱斯拉斯;莉斯貝思·戈麥
• 申請（專利權(quán)）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H04B5/00
• 分類號: H04B5/00;H04B17/318
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種第一近場裝置，其特征在于，包括：

近場天線；

調(diào)諧電路；

通信單元，其耦合到所述近場天線和調(diào)諧電路；

控制器，其耦合到所述調(diào)諧電路和所述通信單元；

其中所述第一近場裝置被配置成相對于第二近場裝置具有近場通信信道路徑損耗；

其中所述控制器被配置成在檢測到所述第一近場裝置與所述第二近場裝置之間的接觸之前將所述路徑損耗設置為第一信道路徑損耗；

其中所述控制器被配置成在檢測到所述第一近場裝置與所述第二近場裝置之間的接觸之后將所述路徑損耗設置為第二信道路徑損耗；并且

其中所述第一路徑損耗大于所述第二路徑損耗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述第一信道路徑損耗使所述第一近場裝置能夠檢測所述第一近場裝置與所述第二近場裝置之間的接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述第一信道路徑損耗阻斷所述第一裝置與第二裝置之間的數(shù)據(jù)傳送；并且

其中所述第二信道路徑損耗實現(xiàn)所述第一裝置與第二裝置之間的數(shù)據(jù)傳送。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述控制器被配置成將所述近場裝置的阻抗設置為第一阻抗和第二阻抗；

其中，為設置所述第一信道路徑損耗，所述控制器被配置成將所述阻抗設置為所述第一阻抗；并且

其中，為設置所述第二信道路徑損耗，所述控制器被配置成將所述阻抗設置為所述第二阻抗。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述控制器被配置成將所述近場裝置的功率電平設置為第一功率電平和第二功率電平；

其中，為設置所述第一信道場強度，所述控制器被配置成將所述功率電平設置為所述第一功率電平；并且

其中，為設置所述第二信道場強度，所述控制器被配置成將所述功率電平設置為所述第二功率電平。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述控制器被配置成將所述近場天線的中心頻率設置為第一中心頻率和第二中心頻率；

其中，為設置所述第一信道路徑損耗，所述控制器被配置成命令所述調(diào)諧電路將所述近場天線設置為所述第一中心頻率；并且

其中，為設置所述第二信道路徑損耗，所述控制器被配置成命令所述調(diào)諧電路將所述近場天線設置為所述第二中心頻率。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于：

所述調(diào)諧電路被配置成響應于來自所述控制器的改變所述調(diào)諧電路中的電容調(diào)諧參數(shù)的命令而改變所述中心頻率。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于：

第一頻帶由所述第一中心頻率限定，并且第二頻帶由所述第二中心頻率限定；并且

其中所述控制器被配置成使所述第一和第二中心頻率適應因所述第一和第二頻帶中的每一者內(nèi)的電磁負載所致的諧振頻率和帶寬變化。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述控制器被配置成將所述近場天線的帶寬設置為第一帶寬和第二帶寬；

其中，為設置所述第一信道路徑損耗，所述控制器被配置成命令所述調(diào)諧電路將所述近場天線設置為所述第一帶寬；并且

其中，為設置所述第二信道路徑損耗，所述控制器被配置成命令所述調(diào)諧電路將所述近場天線設置為所述第二帶寬。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：

還包括接觸檢測器電路；

其中所述接觸檢測器電路被配置成響應于以下之一而輸出檢測到接觸信號：所述調(diào)諧電路的參數(shù)變化、所述通信單元與所述調(diào)諧電路之間的近場通信信號電壓變化、所述第一近場裝置與所述第二近場裝置之間的實際物理接觸、所述第一近場裝置與所述第二近場裝置之間的預定義閾值距離；并且

其中所述參數(shù)基于被配置成維持所述近場裝置的中心頻率和/或帶寬的電容和/或電阻調(diào)諧參數(shù)。