[發明專利]存儲器的測試方法及測試裝置在審
| 申請號: | 202111106307.6 | 申請日: | 2021-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN113851182A | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發明(設計)人: | 黃煒;吳耆賢 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/56 | 分類號: | G11C29/56 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 測試 方法 裝置 | ||
1.一種存儲器的測試方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供待測存儲器,所述待測存儲器中包括若干存儲單元;
以預設頻率交替寫入第一寫入值和第二寫入值至所述存儲單元;
寫入測試寫入值至所述存儲單元;
判斷自所述存儲單元中讀取的數據是否為所述測試寫入值,若否,則確認所述存儲單元的電容頻率特性異常。
2.根據權利要求1所述的存儲器的測試方法,其特征在于,所述待測存儲器中還包括均與所述存儲單元電連接的字線和位線;以預設頻率交替寫入第一寫入值和第二寫入值至所述存儲單元的具體步驟包括:
開啟所述字線;
以所述預設頻率自所述位線交替向所述存儲單元寫入所述第一寫入值和所述第二寫入值。
3.根據權利要求1所述的存儲器的測試方法,其特征在于,以預設頻率交替寫入第一寫入值和第二寫入值至所述存儲單元的具體步驟包括:
執行若干次如下第一循環步驟:
寫入所述第一寫入值至所述存儲單元;
自所述第一寫入值寫入完成開始至延遲預設時間之后寫入第二寫入值至所述存儲單元;
自所述第二寫入值寫入完成開始至延遲所述預設時間之后執行下一次所述第一循環步驟。
4.根據權利要求1所述的存儲器的測試方法,其特征在于,所述預設頻率的數量為多個,且多個所述預設頻率互不相同;所述存儲器的測試方法還包括如下步驟:
依次以每一個所述預設頻率作為當前預設頻率,并針對每一個所述當前預設頻率執行如下第二循環步驟:
以所述當前預設頻率交替寫入所述第一寫入值和所述第二寫入值至所述存儲單元;
寫入測試寫入值至所述存儲單元;
判斷自所述存儲單元中讀取的數據是否為所述測試寫入值,若否,則確認在所述當前預設頻率下所述存儲單元的電容頻率特性異常。
5.根據權利要求1所述的存儲器的測試方法,其特征在于,所述存儲器的測試方法還包括如下步驟:
設置多個預設次數,且多個所述預設次數互不相同;
依次以每一個所述預設次數作為當前預設次數,并針對每一個所述當前預設次數執行如下第三循環步驟:
以預設頻率交替寫入第一寫入值和第二寫入值至所述存儲單元,且交替寫入的次數為所述當前預設次數;
寫入測試寫入值至所述存儲單元;
判斷自所述存儲單元中讀取的數據是否為所述測試寫入值,若否,則確認在所述當前預設次數下所述存儲單元的電容頻率特性異常。
6.根據權利要求5所述的存儲器的測試方法,其特征在于,所述預設次數為3次~2000次。
7.根據權利要求1所述的存儲器的測試方法,其特征在于,所述待測存儲器包括多個所述存儲單元,且多個所述存儲單元排布成存儲陣列;所述存儲器的測試方法還包括:
依次在每一個所述存儲單元中以所述預設頻率交替寫入第一寫入值和第二寫入值;
于整個所述存儲陣列中寫滿所述測試寫入值;
判斷自所述存儲陣列中讀取的數據是否均為所述測試寫入值,若否,則確認所述存儲陣列中存在電容頻率特性異常的所述存儲單元。
8.根據權利要求1所述的存儲器的測試方法,其特征在于,所述測試寫入值為1。
9.根據權利要求1所述的存儲器的測試方法,其特征在于,所述預設頻率為0.1MHz~15MHz。
10.一種存儲器的測試裝置,其特征在于,包括:
測試電路,用于以預設頻率交替寫入第一寫入值和第二寫入值至待測存儲器的存儲單元;
寫入電路,用于寫入測試寫入值至所述存儲單元;
讀取電路,用于讀取所述存儲單元中的數據;
處理器,用于判斷自所述存儲單元中讀取的數據是否為所述測試寫入值,若否,則確認所述存儲單元的電容頻率特性異常。
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