[發明專利]一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法

有效

• 申請號: 202111105455.6
• 申請日: 2021-09-22
• 公開（公告）號: CN113683083B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 蔡金明;陳其贊;林澤斯
• 申請（專利權）人: 廣東墨睿科技有限公司
• 主分類號: C01B32/186
• 分類號: C01B32/186;C01B32/194
• 代理公司: 東莞科強知識產權代理事務所(普通合伙) 44450
• 代理人: 李林學

1.一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）在Mica基底上生長Au（111）層，獲得Au（111）/Mica生長基底；

2）在Au（111）層表面自組裝生長單層的石墨烯納米帶，獲得表面生長有無定形碳層的GNR/Au（111）/Mica樣品；破壞無定形碳層使之與GNR/Au（111）/Mica樣品分離；

3）將步驟2）中得到的所述GNR/Au（111）/Mica樣品放置在濃鹽酸溶液中，獲得GNR/Au（111）樣品；

4）用去離子水置換所述濃鹽酸溶液后，使用負載襯底撈取所述GNR/Au（111）樣品，獲得GNR/Au（111）/負載襯底樣品；

5）將碘化鉀的碘溶液或硝基鹽酸滴在GNR/Au（111）/負載襯底樣品上，浸泡后將Au（111）層刻蝕去除，洗滌干燥后獲得GNR/負載襯底樣品。

2.根據權利要求1所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于，在步驟3處理前，還需要進行去除所述無定形碳層的處理，具體步驟包括：采用尖銳物體破壞所述GNR/Au（111）/Mica 樣品的Au（111）層周邊的無定形碳層，取濃度≤0.5M的碘化鉀碘溶液輕刷所述尖銳物體途徑的軌跡，使所述無定形碳層脫落。

3.根據權利要求2所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于：在破壞所述無定形碳層的處理步驟中，碘化鉀碘溶液的濃度為0.01-0.5M。

4.根據權利要求1所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于：在步驟3濃鹽酸插層處理時，在所述Au（111）邊緣與所述Mica基底接觸的位置滴加濃鹽酸后保持容器密封。

5.根據權利要求1所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于：在步驟1之前，清除所述Mica基底表面的有機雜質及灰塵，具體步驟包括使用丙酮、無水乙醇、去離子水依次超聲清洗20min。

6.根據權利要求5所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于：步驟1中，在所述Mica基底上生長所述Au（111）層的具體步驟包括：將經過清潔的所述Mica基底轉移至等離子體輔助的磁控濺射儀中，更換純金靶才，在Mica基底生長30nm厚的Au（111）層，獲得Au（111）/Mica生長基底。

7.根據權利要求1所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于：步驟2中，在所述Au（111）層生長石墨烯納米帶的具體步驟包括：將步驟1獲得的所述Au（111）/Mica樣品轉移至等離子體輔助的CVD爐中，使用乙烯作為生長源氣，在所述Au（111）/Mica樣品表面生長石墨烯納米帶。

8.根據權利要求1所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于：步驟5處理前，還包括對所述負載襯底上的GNR/Au（111）作平鋪處理。

9.根據權利要求1-8任一權利要求所述的一種高潔凈無損轉移石墨烯納米帶的方法，其特征在于：所述負載襯底選用硅片；所述石墨烯納米帶為7個原子寬。