[發明專利]發熱芯片的制備方法及發熱芯片

在審

• 申請號: 202111105363.8
• 申請日: 2021-09-22
• 公開（公告）號: CN113873698A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 李永武;楊敏;陳占洋
• 申請（專利權）人: 光之科技（北京）有限公司
• 主分類號: H05B3/20
• 分類號: H05B3/20;H05B3/06;H05B3/02;C23C14/12;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/04
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本發明實施例提出一種發熱芯片的制備方法及發熱芯片，發熱芯片的制備方法包括在基底上進行真空鍍膜，形成第一加熱層；在第一加熱層上進行第二次真空鍍膜，形成隔斷層；在隔斷層上進行第三次真空鍍膜，形成第二加熱層；選取第一導電條和第二導電條分別與第一加熱層兩端電連接形成第一電路；選取第三導電條和第四導電條分別與第二加熱層兩端電連接形成第二電路；將第一加熱層、隔斷層和第二加熱層封裝以形成發熱芯片。本發明在發熱芯片制備的過程中形成雙層加熱結構，且用隔斷層分割成兩個獨立加熱單元，既可以在預熱階段同時開啟加快預熱時間，也可以在加熱過程中單獨工作防止功率過大。

技術領域

本發明涉及發熱建材技術領域，尤其涉及一種發熱芯片的制備方法及發熱芯片。

背景技術

目前南方沒有有效的采暖措施，冬季寒冷潮濕；因此，多采用磁控技術在絕緣的基板上制備導電層或者電阻層，并通過導電條通電加熱導電層或者電阻層進行供暖。但是，由于導電層完全覆蓋在基板上，如果功率太小，導電層在進行加熱的時候，需要預熱時間很久，如果功率太大，導電層在進行加熱過程中會因為功率過大產生高溫，易產生火災等危害。

發明內容

本發明實施例提供一種發熱芯片的制備方法及發熱芯片，以解決現有技術中的一個或者多個技術問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種發熱芯片的制備方法，所述方法包括：

在基底上進行真空鍍膜，形成第一加熱層；

在第一加熱層上進行第二次真空鍍膜，形成隔斷層；

在隔斷層上進行第三次真空鍍膜，形成第二加熱層；其中，所述第一加熱層、隔斷層以及第二加熱層的面積逐漸減小，以使所述第一加熱層、隔斷層以及第二加熱層兩端以階梯方式堆疊；

選取第一導電條和第二導電條分別與所述第一加熱層兩端電連接形成第一電路；

選取第三導電條和第四導電條分別與所述第二加熱層兩端電連接形成第二電路；

將所述第一加熱層、隔斷層和第二加熱層封裝以形成發熱芯片。

在一種較佳的實施方式中，所述第一導電條和所述第三導電條同一側間隔設置且所述第一導電條和所述第三導電條之間的間隙為隔斷層，所述第二導電條和所述第四導電條同一側間隔設置且所述第二導電條和所述第四導電條之間的間隙為隔斷層，以使所述第一電路和所述第二電路獨立工作。

在一種較佳的實施方式中，所述第一加熱層的厚度范圍包括10nm～1000nm。

在一種較佳的實施方式中，所述第二加熱層的厚度范圍包括10nm～1000nm。

在一種較佳的實施方式中，所述在基底上進行真空鍍膜，以形成第一加熱層的步驟之前還包括：

在基底表面涂布預涂層，并將預涂層進行第一次固化；

在預涂層上涂布硬化材料，以形成硬化層，并將硬化層進行第二次固化。

在一種較佳的實施方式中，所述第一加熱層和所述第二加熱層包括ZnOxS(1-x)(硫摻雜氧化鋅)、InOxS(1-x)(硫摻雜氧化銦)、SnxIn(1-x)O(氧化銦錫)、ZnxMg(1-x)O(鎂摻雜氧化鋅)、ZnxAl(1-x)O(氧化鋅鋁)、ATO(銻摻雜氧化錫)、FTO(氟摻雜氧化錫)、CTO(錫酸鎘)、CdO(氧化鎘)、FZO(氟摻雜氧化鋅)、SiC(碳化硅)、NiO(氧化亞鎳)、Cu₂O(氧化亞銅)和SnO(一氧化錫)中的一種或多種。

在一種較佳的實施方式中，所述隔斷層包括二氧化硅、環氧樹脂、聚酯、聚氨酯、有機硅樹脂、聚酰亞胺醇酸樹脂中的一種或多種。

第二方面，本發明實施例提供了一種發熱芯片，包括：

基底；