[發(fā)明專利]一種用于扇出型封裝的被動元件及其制備方法、扇出型封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111103034.X | 申請日： | 2021-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN113675166A | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘明東;張中;陳益新;徐海 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇芯德半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京華恒專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32335 | 代理人： | 裴素艷 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 扇出型 封裝 被動 元件 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種用于扇出型封裝的被動元件及其制備方法、扇出型封裝方法，包括被動元件本體，被動元件本體上設(shè)有能夠在扇出型封裝工藝中與重布線層直接接觸的銅制焊接點，所述銅制焊接點外無其他金屬層。本發(fā)明解決了被動元件與扇出型封裝工藝中高溫工藝不兼容的問題，增強了封裝結(jié)構(gòu)的可靠性，為扇出型封裝結(jié)構(gòu)充分發(fā)揮在尺寸、成本、性能方面的優(yōu)勢提供保障。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于扇出型封裝的被動元件及其制備方法、扇出型封裝方法。
背景技術(shù)
隨著集成電路封裝集成化的不斷發(fā)展，越來越多的被動元件，包括電阻、電容、電感、天線，被要求封裝到單個的封裝體單元內(nèi)。在傳統(tǒng)的引線框架和有機基板類型的封裝結(jié)構(gòu)中，被動元件可以直接貼裝到引線框架和有機基板上，再使用塑封材料將其包封到封裝體單元內(nèi)。
圖1為被動元件的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖1，常規(guī)被動元件包括被動元件本體10、被動元件本體10上設(shè)有焊接點20，焊接點20以銅作為底材料，采用電鍍方式在銅表面沉積一層鎳層30，再沉積一層錫層40（或錫銀，或錫鉛）。在扇出型封裝工藝中，在將集成電路芯片和被動元件包封到封裝體內(nèi)部后，需要進(jìn)行多個高溫工藝過程，如濺射、烘烤固化、回流焊接，這些高溫工藝過程會熔化被動元件焊點上的焊錫，導(dǎo)致封裝結(jié)構(gòu)被破壞、無法進(jìn)行后續(xù)封裝工藝，熔化的焊錫也會加快焊接材料之間的互擴散，影響封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。
所以，如果需在扇出型封裝結(jié)構(gòu)中集成被動元件，則需要先完成高溫工藝，再將所需的被動元件封裝到封裝體上，或者是降低封裝工藝中的工藝溫度。但是，這樣限制了封裝的工藝設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計，減弱了扇出型封裝結(jié)構(gòu)在尺寸、成本、性能方面的優(yōu)勢。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的：為了解決現(xiàn)有技術(shù)中，扇出型封裝工藝中被動元件結(jié)構(gòu)受高溫工藝影響的問題，本發(fā)明提供一種用于扇出型封裝的被動元件及其制備方法、扇出型封裝方法。
技術(shù)方案：一種用于扇出型封裝的被動元件，包括被動元件本體，被動元件本體上設(shè)有能夠在扇出型封裝工藝中與重布線層直接接觸的銅制焊接點，所述銅制焊接點外無其他金屬層。
進(jìn)一步地，還包括銅制焊接點外自然生成的氧化銅。
一種集成電路扇出型封裝結(jié)構(gòu)，還包括芯片、塑封層、重布線層及焊球，重布線層設(shè)在芯片及被動元件正面，所述重布線層與芯片連接，所述重布線層與被動元件的銅制焊接點直接接觸，芯片與被動元件的背面、芯片與被動元件之間均填充有塑封層，所述焊球設(shè)置在重布線層的開口位置處。
一種集成電路扇出型封裝方法，包括以下步驟：
步驟一：將芯片、上述的用于扇出型封裝的被動元件貼裝在載板表面，載板與芯片、被動元件之間設(shè)置有鍵合層；
步驟二：在載板表面貼裝有芯片、被動元件的一側(cè)形成塑封層，所述塑封層至少覆蓋芯片及被動元件表面；
步驟三：去除載板及鍵合層；采用等離子刻蝕去除被動元件表面裸露于外部的氧化銅；
步驟四：在芯片及被動元件的正面制備重布線層，重布線層與被動元件表面裸露于外部的氧化銅直接接觸；
步驟五：在重布線層上方制作焊球。
進(jìn)一步地，步驟一中，所述用于扇出型封裝的被動元件由普通被動元件預(yù)處理制成，預(yù)處理包括：
將普通被動元件置于退錫溶液中浸泡，浸泡完成后用去離子水清洗，至焊接點外的鎳層剝離。
進(jìn)一步地，所述退錫溶液包含20%~40%的硝酸、60%~80%的水。
進(jìn)一步地，所述去離子水為濃度20%的NaOH。
進(jìn)一步地，將普通被動元件置于退錫溶液中浸泡2~10分鐘，再用去離子水中清洗5~10分鐘。
進(jìn)一步地，步驟四制備重布線層包括光刻、固化、濺射、電鍍、去膠及腐蝕工藝。
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