[發明專利]一種高亮度高可靠性的Micro-LED顯示裝置

有效

• 申請號: 202111102022.5
• 申請日: 2021-09-18
• 公開（公告）號: CN113782561B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 郭偉杰;鄭曦;童長棟;高玉琳;鄭振耀;呂毅軍;陳忠
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻

1.一種高亮度高可靠性的Micro-LED顯示裝置，通過陣列式排布的若干像素單元實現顯示，其特征在于：包括上下設置的雙層布線承載基板和TFT背板，每一像素單元具有分立的Micro-LED芯片和第一晶體管，Micro-LED芯片和第一晶體管設于雙層布線承載基板之上，且Micro-LED芯片的電極和第一晶體管的電極分別焊接于雙層布線承載基板上；TFT背板上表面對應每一像素單元設有TFT單元；雙層布線承載基板對應每一像素單元設有導電過孔，每一TFT單元與對應像素單元的第一晶體管通過所述導電過孔電連接；所述TFT單元用于選通對應的像素單元，所述第一晶體管用于為對應的像素單元內Micro-LED芯片進行供電。

2.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述雙層布線承載基板設有VDD布線和GND布線；所述Micro-LED芯片具有第一電極和第二電極，所述第一晶體管具有第一源極、第一漏極和第一柵極；所述第一電極與VDD布線電導通，所述第二電極與第一源極電導通，所述第一柵極與所述TFT單元電導通，所述第一漏極與GND布線電導通。

3.根據權利要求2所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述雙層布線承載基板上表面設有第一電極焊盤，第二電極焊盤，源極焊盤、柵極焊盤和漏極焊盤；所述Micro-LED芯片和第一晶體管倒裝設于所述雙層布線承載基板上面，且所述第一電極、第二電極、第一源極、第一漏極和第一柵極與所述第一電極焊盤、第二電極焊盤、源極焊盤、柵極焊盤和漏極焊盤一一對應地焊接，所述柵極焊盤與所述導電過孔電導通。

4.根據權利要求2所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述TFT單元包括第二晶體管結構和電容結構，所述第二晶體管結構包括第二源極、第二漏極和第二柵極，所述第二漏極通過所述導電過孔與所述第一柵極電連接；所述電容結構并聯于所述第一柵極和第一漏極之間；所述TFT背板設有接地端，所述接地端與所述GND布線導通。

5.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述雙層布線承載基板不透明。

6.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述第一晶體管的頂面及側壁表面包覆有遮光封裝基質。

7.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述Micro-LED芯片的上表面之外的表面、所述雙層布線承載基板上表面和所述第一晶體管表面一體包覆有遮光封裝基質。

8.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述Micro-LED芯片包括紅光Micro-LED芯片、綠光Micro-LED芯片和藍光Micro-LED芯片，對應的像素單元為紅光像素單元、綠光像素單元和藍光像素單元。

9.根據權利要求7所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述Micro-LED芯片均為藍光Micro-LED芯片，部分藍光Micro-LED芯片形成藍光像素單元，另外部分藍光Micro-LED芯片通過設置熒光轉換層形成紅光像素單元和綠光像素單元，所述遮光封裝基質在藍光Micro-LED芯片對應位置設置有凹槽，所述熒光轉換層設置在所述凹槽內。

10.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示裝置，其特征在于：所述Micro-LED芯片發出的光線向下出射，熒光轉換層設于所述TFT背板的TFT單元之間，并與所述Micro-LED芯片垂直對準，所述雙層布線承載基板和TFT背板均為透光材料，且雙層布線承載基板和TFT背板之間填充透明粘合層。