[發(fā)明專利]一種多波長LED芯片及其制作方法

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• 申請日: 2021-09-18
• 公開（公告）號: CN113871517A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 林志偉;崔恒平;蔡玉梅;蔡海防;陳凱軒
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多波長LED芯片，其特征在于，包括：

基板，所述基板為導電基板；

沿第一方向依次堆疊在所述基板表面的鍵合層、金屬反射鏡、堆疊結構；所述第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述堆疊結構；所述堆疊結構包括發(fā)光結構和覆蓋層，若干個所述發(fā)光結構沿所述第一方向依次堆疊且呈臺階狀分布，各所述發(fā)光結構包括沿所述第一方向依次層疊的P型半導體層、有源層和N型半導體層；相鄰兩個發(fā)光結構通過覆蓋層相互絕緣；

第一電極，其設置在所述基板背離所述鍵合層的一側表面；

第二電極，其層疊于所述堆疊結構背離所述金屬反射鏡的一側表面；

金屬連接層，其層疊于相鄰兩個發(fā)光結構所形成的臺階表面，用于串聯(lián)對應的相鄰兩個發(fā)光結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的多波長LED芯片，其特征在于：各所述發(fā)光結構所出射的光波各不相同。

3.根據(jù)權利要求1所述的多波長LED芯片，其特征在于：還包括保護層，所述保護層覆蓋各所述發(fā)光結構及各所述金屬連接層的裸露面。

4.根據(jù)權利要求3所述的多波長LED芯片，其特征在于：在各所述金屬連接層表面層疊有接觸電極，所述接觸電極通過所述保護層與對應的發(fā)光結構絕緣設置。

5.根據(jù)權利要求1-4中任意一項所述的多波長LED芯片，其特征在于：所述發(fā)光結構包括第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構；所述第一發(fā)光結構包括沿所述第一方向依次層疊的第一P型半導體層、第一有源層、第一N型半導體層；所述第二發(fā)光結構包括沿所述第一方向依次層疊的第二P型半導體層、第二有源層、第二N型半導體層；所述第一發(fā)光結構、覆蓋層和第二發(fā)光結構構成所述堆疊結構。

6.根據(jù)權利要求5所述的多波長LED芯片，其特征在于：沿所述第一N型半導體層的局部表面設有向第二N型半導體層延伸的第一臺面，并顯露所述第二N型半導體層；沿所述第一N型半導體層的局部表面設有向所述第一P型半導體層延伸的第二臺面，并顯露部分所述第一P型半導體層，所述第一臺面與所述第二臺面形成所述臺階。

7.根據(jù)權利要求5所述的多波長LED芯片，其特征在于：所述金屬連接層的水平高度低于二分之一所述第一P型半導體層的水平高度，所述金屬連接層的水平高度高于六分之一所述第一P型半導體層的水平高度。

8.根據(jù)權利要求5所述的多波長LED芯片，其特征在于：所述第一N型半導體層與第一有源層之間設有N型阻隔層，所述第一P型半導體層與第一有源層之間設有P型阻隔層。

9.根據(jù)權利要求8所述的多波長LED芯片，其特征在于：所述P型阻隔層的厚度大于所述N型阻隔層的厚度，所述P型阻隔層的厚度為0nm-150nm，不包括端點值。

10.根據(jù)權利要求8或9中任意一項所述的多波長LED芯片，其特征在于：所述N型阻隔層和所述P型阻隔層的結構包括沿所述第一方向依次層疊未摻雜的AlGaAs層、AlGaInP層和AlGaAs層，其中，Al組分大于45％；依次層疊未摻雜的所述AlGaAs層、AlGaInP層和AlGaAs層中，所述AlGaInP層的厚度小于任何一組所述AlGaAs層的厚度。

11.根據(jù)權利要求8或9中任意一項所述的多波長LED芯片，其特征在于：所述N型阻隔層和所述P型阻隔層的結構包括沿所述第一方向依次層疊未摻雜的AlGaInP層、AlGaAs層和AlGaInP層，其中，Al組分大于45％；依次層疊未摻雜的所述AlGaInP層、AlGaAs層和AlGaInP層中，所述AlGaAs層的厚度小于任何一組所述AlGaInP層的厚度。