[發明專利]一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法在審
| 申請號: | 202111098603.6 | 申請日: | 2021-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN113795091A | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發明(設計)人: | 陳明祥;劉佳欣;劉松坡;黃衛軍 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學;武漢利之達科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/38 | 分類號: | H05K3/38;H05K3/00;C04B37/02 |
| 代理公司: | 湖北高韜律師事務所 42240 | 代理人: | 鄢志波 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低溫 燒結 制備 陶瓷 電路板 方法 | ||
1.一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,該方法包括如下步驟:
S1向納米金屬顆粒中添加活性金屬顆粒,并加入有機溶劑,經攪拌、脫泡處理后得到納米金屬活性焊膏;
S2在陶瓷基片表面通過絲網印刷涂覆活性金屬焊膏;
S3將活性金屬焊膏層上覆蓋銅箔,經過低溫燒結(300℃),得到單面或雙面陶瓷覆銅板;
S4通過光刻、顯影和刻蝕工藝在銅層上形成圖形,得到單面或雙面陶瓷電路板。
2.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S1中,所述納米金屬顆粒直徑為1nm~100nm,為納米金、納米銀、納米銅中的一種或多種。
3.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S1中,所述活性金屬顆粒直徑為1μm~5μm,為金屬鈦、鈰、鎵、錸中的一種或多種。
4.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S1中,所述活性金屬顆粒質量占總金屬顆粒質量的0.1%~10%。
5.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S1中,所述有機溶劑為松油醇、乙二醇、乙基纖維素、正丁醇、異丙醇、氯代水楊酸和硬脂酸中的一種或多種。
6.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S1中,所述納米金屬活性焊膏中金屬顆粒質量占60%~90%。
7.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S2中,所述活性金屬焊膏層厚度為10~200μm。
8.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S3中,所述銅箔厚度為0.1mm~1mm。
9.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S3中,所述低溫燒結工藝在真空爐或保護氣氛或超聲波輔助條件下進行。
10.如權利要求1所述的一種低溫燒結制備陶瓷電路板方法,其特征在于,在步驟S3中,所述低溫燒結工藝溫度曲線為:以5℃/min~15℃/min的升溫速度,從室溫升高到150℃~200℃,保溫5min~20min,以去除焊膏中的有機溶劑;再以10℃/min~15℃/min的升溫速度,升溫到200℃~300℃,保溫15min~30min;最后隨爐冷卻。
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