[發(fā)明專利]半導(dǎo)體電路、控制板和半導(dǎo)體電路的溫度控制方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111097849.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113823609A | 公開(公告)日: | 2021-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮宇翔;潘志堅(jiān);張土明;左安超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/34 | 分類號(hào): | H01L23/34;G05D23/20 |
| 代理公司: | 深圳市辰為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44719 | 代理人: | 陳建昌 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 電路 控制板 溫度 控制 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電路、控制板和半導(dǎo)體電路的溫度控制方法,通過(guò)電路基板上設(shè)有絕緣層,電路層設(shè)置在絕緣層上;第一引腳組件、第二引腳組件分別與電路層電性連接;第一引腳組件的第二端、第二引腳組件的第二端分別從密封本體露出;電路層包括控制芯片、第一測(cè)溫元件和發(fā)熱器件;控制芯片獲取對(duì)應(yīng)第一測(cè)溫元件的內(nèi)部溫度信號(hào)和對(duì)應(yīng)第二測(cè)溫元件的外部溫度信號(hào),對(duì)內(nèi)部溫度信號(hào)和外部溫度信號(hào)處理,并在處理的結(jié)果滿足預(yù)設(shè)過(guò)溫保護(hù)條件時(shí),將當(dāng)前工作狀態(tài)切換為過(guò)溫保護(hù)狀態(tài),實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確判斷半導(dǎo)體電路內(nèi)發(fā)熱器件的結(jié)溫狀況,提高了半導(dǎo)體電路中溫度檢測(cè)準(zhǔn)確度,并在溫度異常時(shí),及時(shí)將工作狀態(tài)切換為過(guò)溫保護(hù)狀態(tài),提高了半導(dǎo)體電路的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電路、控制板和半導(dǎo)體電路的溫度控制方法,屬于半導(dǎo)體電路應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體電路是一種將電力電子和集成電路技術(shù)結(jié)合的功率驅(qū)動(dòng)類產(chǎn)品。半導(dǎo)體電路把功率開關(guān)器件和高壓驅(qū)動(dòng)電路集成在一起,并內(nèi)藏有過(guò)電壓、過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測(cè)電路。半導(dǎo)體電路一方面接收MCU的控制信號(hào),驅(qū)動(dòng)后續(xù)電路工作,另一方面將系統(tǒng)的狀態(tài)檢測(cè)信號(hào)送回MCU進(jìn)行處理。與傳統(tǒng)分立方案相比,半導(dǎo)體電路以其高集成度、高可靠性等優(yōu)勢(shì)贏得越來(lái)越大的市場(chǎng),尤其適合于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的變頻器及各種逆變電源,是變頻調(diào)速,冶金機(jī)械,電力牽引,伺服驅(qū)動(dòng),以及變頻家電的一種理想電力電子器件。半導(dǎo)體電路由高速低工耗的管芯和優(yōu)化的門級(jí)驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng),也可以使半導(dǎo)體電路自身不受損壞。半導(dǎo)體電路包括IGBT、MOSFET、FRD的功率開關(guān)元件以及一些阻容元件,并內(nèi)藏驅(qū)動(dòng)電路的集成結(jié)構(gòu)。面對(duì)市場(chǎng)小型化、低成本競(jìng)爭(zhēng),對(duì)半導(dǎo)體電路高集成和高散熱技術(shù)提出了更高的要求。
在實(shí)現(xiàn)過(guò)程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)技術(shù)中至少存在如下問題:傳統(tǒng)的半導(dǎo)體電路中,通常在半導(dǎo)體電路內(nèi)部設(shè)置熱敏電阻NTC,通過(guò)熱敏電阻NTC來(lái)監(jiān)控半導(dǎo)體電路的工作溫度。但因?yàn)闊崦綦娮鐽TC距離主要發(fā)熱器件(如IGBT、MOSFET、FRD等大功率器件)有一定距離,發(fā)熱器件真實(shí)結(jié)溫比熱敏電阻NTC檢測(cè)到的溫度更高,而且檢測(cè)到的溫度傳輸?shù)絅TC也有延時(shí),所以不能實(shí)時(shí)反應(yīng)發(fā)熱器件的溫度狀況,當(dāng)造成結(jié)溫短時(shí)間過(guò)高時(shí)不能及時(shí)探測(cè)到并采取保護(hù)動(dòng)作,從而出現(xiàn)產(chǎn)品失效。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對(duì)傳統(tǒng)的半導(dǎo)體電路中溫度檢測(cè)準(zhǔn)確度低,無(wú)法準(zhǔn)確判斷半導(dǎo)體電路內(nèi)的發(fā)熱器件結(jié)溫狀況的問題。提供一種半導(dǎo)體電路、控制板和半導(dǎo)體電路的溫度控制方法。
具體地,本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體電路,包括:
電路基板,電路基板上設(shè)有絕緣層;
電路層,電路層設(shè)置在絕緣層上;
引腳組件,引腳組件包括第一引腳組件和第二引腳組件,第一引腳組件的第一端、第二引腳組件的第一端分別與電路層電性連接;
密封本體,密封本體至少包裹設(shè)置電路層的電路基板的一表面,第一引腳組件的第二端、第二引腳組件的第二端分別從密封本體露出;
其中,電路層包括控制芯片、第一測(cè)溫元件和發(fā)熱器件;第一測(cè)溫元件和發(fā)熱器件分別連接控制芯片;第一引腳的第二端用于連接第二測(cè)溫元件;第一測(cè)溫元件配置為檢測(cè)半導(dǎo)體電路內(nèi)部的溫度,得到內(nèi)部溫度信號(hào);第二測(cè)溫元件配置為檢測(cè)半導(dǎo)體電路外部的溫度,得到外部溫度信號(hào);控制芯片配置為獲取第一測(cè)溫元件傳輸?shù)膬?nèi)部溫度信號(hào)和第二測(cè)溫元件傳輸?shù)耐獠繙囟刃盘?hào),對(duì)內(nèi)部溫度信號(hào)和外部溫度信號(hào)進(jìn)行處理,并在處理的結(jié)果滿足預(yù)設(shè)過(guò)溫保護(hù)條件時(shí),將當(dāng)前工作狀態(tài)切換為過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)。
可選地,控制芯片還配置為在對(duì)應(yīng)外部溫度信號(hào)的外部溫度數(shù)值大于或等于預(yù)設(shè)第一溫度閾值時(shí),將當(dāng)前工作狀態(tài)切換為過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)。
可選地,控制芯片還配置為在對(duì)應(yīng)內(nèi)部溫度信號(hào)的內(nèi)部溫度數(shù)值大于或等于預(yù)設(shè)第二溫度閾值時(shí),將當(dāng)前工作狀態(tài)切換為過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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