[發(fā)明專利]一種降低催化層金屬離子污染的膜電極在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111082451.0 | 申請日: | 2021-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN113937328A | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉佳;韓愛娣;任歡;朱鳳鵑;姜貴山;陳偉;朱孟倩 | 申請(專利權(quán))人: | 上海捷氫科技有限公司;上海唐鋒能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01M8/1004 | 分類號: | H01M8/1004;H01M8/1032 |
| 代理公司: | 北京華仁聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11588 | 代理人: | 孫遠 |
| 地址: | 201800 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 降低 催化 金屬 離子 污染 電極 | ||
1.一種降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:由含金屬例子吸附層的陽極擴散層、質(zhì)子交換膜、陰極催化層、含金屬離子吸附層的陰極擴散層組成,所述陽極擴散層和陰極擴散層中的金屬離子吸附層位于氣體擴散層的基底層與微孔層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述金屬離子吸附層內(nèi)含有硫化鋅包裹二氧化鈦顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述顆粒表面的硫化鋅呈介孔型,且二氧化鈦與硫化鋅形成交叉式滲透結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述金屬離子吸附層由異丙醇、硫化鋅包裹二氧化鈦顆粒、乙基纖維素、PTFE乳液混合制備而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述陽極擴散層和陰極擴散層均采用PTFE網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述質(zhì)子交換膜為全氟磺酸樹脂膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述陰極催化層中含有一定比例的全氟磺酸樹脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述陽極催化層中含有一定比例的全氟磺酸樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述膜電極是將含金屬離子吸附層的陽極擴散層、陽極催化層、質(zhì)子交換膜、陰極催化層、含金屬離子吸附層的陰極擴散層依次疊放,熱壓而成,且所述熱壓的溫度為140-180℃,壓力為80-100kg/cm2。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低催化層金屬離子污染的膜電極,其特征在于:所述陽極擴散層和金屬離子吸附層在熱壓前形成復(fù)合,所述陰極擴散層和金屬離子吸附層在熱壓前形成復(fù)合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海捷氫科技有限公司;上海唐鋒能源科技有限公司,未經(jīng)上海捷氫科技有限公司;上海唐鋒能源科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111082451.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





