[發(fā)明專利]氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極及其制法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111072455.0 | 申請日： | 2021-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN113921763A | 公開（公告）日： | 2022-01-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 耿洪波;張宸睿;程亞飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 常熟理工學(xué)院 |
| 主分類號： | H01M4/136 | 分類號： | H01M4/136;H01M4/1397;H01M4/58;H01M4/62 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 金詩琦 |
| 地址： | 215500 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 摻雜 碳插層 二硫化鉬 鈉離子 電池 負極 及其 制法 | ||
1.一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極，其特征在于：包括氮摻雜碳插層(2)和二硫化鉬層(1)，所述氮摻雜碳插層(2)插入在相鄰的二硫化鉬層(1)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極，其特征在于：所述氮摻雜碳插層(2)后的二硫化鉬層(1)的間距為0.67～0.71nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(a)將二水合鉬酸鈉和L-半胱氨酸分散于去離子水中，攪拌均勻后加入三聚氰胺，繼續(xù)攪拌，在160～200℃進行水熱反應(yīng)；
(b)將水熱反應(yīng)的產(chǎn)物進行離心處理，得到三聚氰胺插層的二硫化鉬；
(c)將三聚氰胺插層的二硫化鉬干燥后，在保護氣氛中煅燒，煅燒溫度為400～600℃，保溫，冷卻后得到MoS2/NC鈉離子電池負極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于：所述步驟(a)中，二水合鉬酸鈉、L-半胱氨酸、三聚氰胺的物質(zhì)的量之比為1～3:4～12:1。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于：所述步驟(a)中，水熱反應(yīng)的時間為24～30h。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于：所述步驟(b)中，離心處理依次使用去離子水和無水乙醇。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于：所述步驟(c)中，保護氣氛為氮氣。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于：所述步驟(c)中，升溫速度為2～5℃/min。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于：所述步驟(c)中，保溫溫度為400～600℃，保溫時間為1～3h。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮摻雜碳插層二硫化鉬的鈉離子電池負極的制備方法，其特征在于：所述步驟(c)中，煅燒在管式爐中進行。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于常熟理工學(xué)院，未經(jīng)常熟理工學(xué)院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111072455.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
