[發(fā)明專利]晶體管和制造晶體管的方法

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• 申請日: 2021-09-13
• 公開（公告）號: CN114497209A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷嘉成;J·J·杰里;L·S·素賽;陳學(xué)深
• 申請（專利權(quán)）人: 新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種晶體管，包括：

緩沖層；

源極接觸件和漏極接觸件，位在該緩沖層上，

阻擋層，位在該緩沖層上，其中，該阻擋層配置在該源極接觸件和該漏極接觸件之間；

導(dǎo)電構(gòu)件，位在該阻擋層上，其中，該導(dǎo)電構(gòu)件包括p摻雜的III-V族化合物；

介電堆疊，位在該阻擋層上和該導(dǎo)電構(gòu)件上，其中，該介電堆疊包括第一介電層和在該第一介電層上的第二介電層，

第一溝槽和第二溝槽，該第一溝槽穿過該介電堆疊延伸至該導(dǎo)電構(gòu)件，該第二溝槽穿過該介電堆疊延伸至該第一介電層；以及

柵極金屬，位在該介電堆疊上，其中，該柵極金屬通過該第一溝槽接觸該導(dǎo)電構(gòu)件，并且其中，該柵極金屬通過該第二溝槽接觸該第一介電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該介電堆疊的該第二溝槽位于該漏極接觸件和該導(dǎo)電構(gòu)件之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該柵極金屬至少部分地設(shè)置在該第二介電層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該導(dǎo)電構(gòu)件具有與該阻擋層接觸的表面和橫向于該表面的側(cè)壁，其中，該第一介電層接觸該導(dǎo)電構(gòu)件的該側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該第二溝槽比該第一溝槽寬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該第二溝槽與該第一溝槽相鄰。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該第二溝槽比該第一溝槽深。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該第一溝槽配置在該導(dǎo)電構(gòu)件上方。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該阻擋層具有凹槽，以及該第一介電層延伸到該凹槽中，其中，該第二溝槽形成在該凹槽上方。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該第二介電層比該第一介電層厚。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該緩沖層包括III-V族半導(dǎo)體材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該第二介電層具有與該第一介電層不同的材料成分。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，該III-V族化合物包括GaN。

14.一種制造晶體管的方法，該方法包括：

在緩沖層上形成源極接觸件和漏極接觸件；

在該緩沖層上，在該源極接觸件和該漏極接觸件之間形成阻擋層；

在該阻擋層上形成導(dǎo)電構(gòu)件，其中，該導(dǎo)電構(gòu)件包括p型摻雜的III-V族化合物；

在該阻擋層上與該導(dǎo)電構(gòu)件上形成一介電堆疊，其中，該介電堆疊包括第一介電層和位于該第一介電層上的第二介電層；

在該介電堆疊中形成第一溝槽與第二溝槽，其中，該第一溝槽延伸至該導(dǎo)電構(gòu)件，以及其中，該第二溝槽延伸至該第一介電層；以及

在該介電堆疊上形成柵極金屬，其中，該柵極金屬通過該第一溝槽接觸該導(dǎo)電構(gòu)件，以及其中，該柵極金屬通過該第二溝槽接觸該第一介電層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成該介電堆疊包括：

在該阻擋層與該導(dǎo)電構(gòu)件上沉積第一介電材料；

在該第一介電材料上沉積第二介電材料；

在該導(dǎo)電構(gòu)件上方的該第一介電材料和該第二介電材料中形成該第一溝槽以形成該第一介電層；以及

在該第二介電材料中形成該第二溝槽以形成該第二介電層。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括：

形成與該第一溝槽相鄰的該第二溝槽。