[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111067629.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114497122A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李駿熙;柳慜烈;崔凡洛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京金宏來(lái)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板,包括顯示區(qū)域;
薄膜晶體管,配置在所述基板上;
通路層,配置在所述薄膜晶體管上,并且包括使所述薄膜晶體管的一部分露出的過(guò)孔;
下部電極,配置在所述通路層上;
像素定義膜,配置在所述通路層上,并且在所述過(guò)孔上具有高低差;以及
防透過(guò)圖案,配置在所述像素定義膜上,并且與所述過(guò)孔重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
間隔物,配置在所述像素定義膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
在剖視圖上,所述防透過(guò)圖案的厚度不同于所述間隔物的厚度,
所述防透過(guò)圖案填充所述高低差。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
在剖視圖上,所述防透過(guò)圖案的上表面和所述間隔物的上表面位于相同水平的位置處,
所述防透過(guò)圖案填充所述高低差。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
所述防透過(guò)圖案和所述間隔物含有相同的物質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,
所述防透過(guò)圖案和所述間隔物包括碳黑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述像素定義膜和所述防透過(guò)圖案含有相同的物質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,
所述防透過(guò)圖案和所述像素定義膜包括碳黑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述薄膜晶體管包括:
有源層;
柵極絕緣層,配置在所述有源層上;
柵電極,配置在所述柵極絕緣層上;
層間絕緣層,配置在所述柵電極上;以及
源電極和漏電極,配置在所述柵電極上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,
所述過(guò)孔使所述漏電極的一部分露出,所述下部電極在所述通路層上延伸至所述過(guò)孔并且與所述漏電極接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,
所述通路層包括:
第一通路層,配置在所述層間絕緣層上,并且覆蓋所述源電極和所述漏電極;以及
第二通路層,配置在所述第一通路層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
發(fā)光層,配置在所述下部電極上;以及
上部電極,配置在所述防透過(guò)圖案、所述像素定義膜和所述發(fā)光層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其特征在于,
間隔開(kāi)來(lái)配置所述過(guò)孔和所述發(fā)光層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
封裝層,配置在所述上部電極上;以及
黑色矩陣,配置在所述封裝層上,并且形成有多個(gè)開(kāi)口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
多個(gè)濾色器,配置于所述開(kāi)口。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





