[發明專利]反射性電極保護層用化合物以及包含所述化合物的背面發光元件在審
| 申請號: | 202111063617.4 | 申請日: | 2021-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN114249659A | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 咸昊完;安賢哲;金東駿;閔丙哲;韓政佑;李螢振;安慈恩;權桐熱;金兌旼 | 申請(專利權)人: | 東進世美肯株式會社 |
| 主分類號: | C07C211/54 | 分類號: | C07C211/54;C07C211/58;C07C211/61;C07D209/86;C07D213/38;C07D213/74;C07D215/38;C07D215/40;C07D217/02;C07D217/22;C07D239/42;C07D251/70;C07D401/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 崔蘭;戚郁 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 電極 保護層 化合物 以及 包含 背面 發光 元件 | ||
1.一種以下述化學式1表示的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物:
化學式1
在所述化學式1中,
Ar、Ar1至Ar6各自獨立地為取代或未取代的C6~C50的芳基、或取代或未取代的C2~C50的雜芳基,
L1至L3各自獨立地為直接結合、取代或未取代的C6~C50的亞芳基、或取代或未取代的C2~C50的雜亞芳基,
虛線可以連接而形成或不形成稠合基。
2.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar為C6以下的芳基、或C5以下的雜芳基。
3.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar為亞苯基、吡啶基、嘧啶基或三嗪基。
4.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar1至Ar6中的一個或兩個以上為取代或未取代的稠合芳基、或取代或未取代的稠合雜芳基。
5.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar1至Ar6中的一個或兩個以上為菲基。
6.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar1、Ar3以及Ar5為菲基。
7.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar1至Ar6中的4個以上為萘基。
8.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar1至Ar6為萘基。
9.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
包含由虛線連接而成的3個咔唑基。
10.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述L1至L3各自獨立地為直接結合、亞苯基、或C5以下的雜亞芳基。
11.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述L1至L3各自獨立地為直接結合、亞苯基、吡啶基。
12.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar、Ar1至Ar6中的一個或兩個以上為吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基或喹啉基。
13.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述Ar1至Ar6中的一個或兩個以上為未取代的C6~C50的芳基、或未取代的C2~C50的雜芳基。
14.根據權利要求1所述的背面發光元件的反射性電極保護層用化合物,
所述化學式1的化合物是以下述化學式表示的化合物中的任一個:
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