[發(fā)明專利]基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111061807.2
• 申請(qǐng)日: 2021-09-10
• 公開（公告）號(hào): CN113933763A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉翡瓊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安柯萊特信息科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R33/032
• 分類號(hào): G01R33/032
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置包括：第一光纖、第二光纖、第三光纖、超磁致伸縮部；所述第一光纖和所述第三光纖均為材料相同的單模光纖，所述第二光纖為空心光纖，所述第二光纖的一端與所述第一光纖的一端相連接，所述第二光纖的另一端與所述第三光纖的一端相連接，所述超磁致伸縮部均勻黏附于所述第二光纖的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述超磁致伸縮部的長(zhǎng)度等于或略小于所述第二光纖的長(zhǎng)度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置還包括金屬顆粒層，所述金屬顆粒層設(shè)置于所述第二光纖和所述超磁致伸縮部之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙路光纖的磁場(chǎng)檢測(cè)裝置，其特征在于，金屬顆粒層的材料為貴金屬材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述超磁致伸縮部的形狀為兩邊高中間低的凹弧狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述超磁致伸縮部的形狀為兩邊低中間高的突起圓弧狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述超磁致伸縮部在與所述金屬顆粒層相接觸的一側(cè)設(shè)置多個(gè)凹槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于光纖的磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述超磁致伸縮部上的凹槽形狀為方形、半圓形，各個(gè)凹槽之間的間距相等。