[發明專利]一種利用哈氏合金廢料冶煉超低碳超低硅哈氏合金的方法

有效

• 申請號: 202111059689.1
• 申請日: 2021-09-10
• 公開（公告）號: CN113832303B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 楊振;袁飛;施勇;沈華;俞蘇徽;陶杰華;胡星鑫
• 申請（專利權）人: 湖州盛特隆金屬制品有限公司
• 主分類號: C22C19/03
• 分類號: C22C19/03;C22C19/05;C21C7/10;C21C7/00
• 代理公司: 杭州新源專利事務所(普通合伙) 33234
• 代理人: 鄭雙根

本發明公開了一種利用哈氏合金廢料冶煉超低碳超低硅哈氏合金的方法，包括以下步驟：a、EAF電爐冶煉：按質量份計，將石灰、碳球、哈氏合金廢料、硅鐵合金和螢石加入到EAF電爐冶煉，得A品；b、EAF電爐出鋼：待A品中硅的質量百分比為0.3?0.7％、碳的質量百分比為1.5?2.5％后出鋼，得B品；c、將B品進行真空脫氣處理，使B品中的氫的質量百分比＜2ppm，氮的質量百分比＜100ppm，得C品；d、將C品加入AOD爐冶煉，冶煉溫度1500?1580℃，出鋼,出鋼時隨鋼流加入鋁錠20?80份，得D品；f、D品運行至LF爐進行精煉，得成品。

技術領域

本發明屬于哈氏合金冶煉領域，尤其涉及一種利用哈氏合金廢料冶煉超低碳超低硅哈氏合金的方法。

背景技術

哈氏合金是鎳基合金的一類，主要分為B、C、G三個系列，主要應用在不銹鋼或者非金屬材料無法使用的強腐蝕性介質場合。

比較典型的哈氏合金如Hasteeloy B-2、Hasteeloy C-276、Hasteeloy G-2,碳硅質量百分比含量已經低，碳的質量百分比為≤0.02％、硅的質量百分比為≤0.1％。而在超低碳超低硅的哈氏合金中，碳的質量百分比甚至要求為≤0.01％，硅的質量百分比甚至要求為≤ 0.08％。這就給哈氏合金的冶煉會帶來極大的難度。

由于哈氏合金對氫、氧、氮氣體含量要求均極高，常規的冶煉方法只能用真空感應爐冶煉法，對原料的要求極高，一般采用純鎳、純鉬、純鉻等純凈度高的原料加入真空爐進行冶煉，冶煉成本極高。而哈氏合金通常被加工成板卷、棒線，在加工成零部件過程中會產生大量的廢料，哈氏合金零部件使用周期結束后也會產生大量的廢料，這些廢料中含有油污、粉塵、水分等雜質，難以回收重新冶煉成新的哈氏合金。

因此，需要一種新的方法使回收的哈氏合金廢料能夠重新冶煉成新的哈氏合金，以減低冶煉成本。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種利用哈氏合金廢料冶煉超低碳超低硅哈氏合金的方法。本發明具有原料成本低和冶煉成本低的優點。

本發明的技術方案：一種利用哈氏合金廢料冶煉超低碳超低硅哈氏合金的方法，包括以下步驟：

a、EAF電爐冶煉：按質量份計，將1200-1600份石灰、400-900 份碳球、26000-29000份哈氏合金廢料、300-400份硅鐵合金和 500-650份螢石加入到EAF電爐冶煉，得A品；所述哈氏合金廢料與所要冶煉制得的哈氏合金為相同鋼種；

b、EAF電爐出鋼：待A品中硅的質量百分比為0.3-0.7％、碳的質量百分比為1.5-2.5％后出鋼，出鋼溫度1600-1680℃，得B品；

c、將B品吊包至VD真空爐進行真空脫氣處理，吊包溫度 1540-1580℃，真空度＜65pa，真空脫氣時間20-40min，使B品中的氫的質量百分比＜2ppm，氮的質量百分比＜100ppm，得C品；

d、將C品加入AOD爐冶煉，出鋼溫度1500-1580℃，出鋼時隨鋼流加入鋁錠20-80份，得D品；

f、D品運行至LF爐進行精煉，先加入鎳鎂合金20-60份，再依次進行成分調整、溫度調整和稀土微合金化后得成品,成分調整至所要冶煉的哈氏合金成品的標準要求范圍內、溫度調整至 1460-1500℃、添加80-120份稀土鈰合金，精煉時間45-95min,得成品。

前述的利用哈氏合金廢料冶煉超低碳超低硅哈氏合金的方法中，所述步驟d中，C品在AOD爐中進行預處理，得C1品，

C1品進行脫碳處理，得C2品，

C2品進行預還原，得C3品，

C3品進行脫碳處理，得C4品，

C4品進行還原、脫硫及合金調整，得C5品，