[發明專利]一種具有部分下沉溝道的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管

在審

• 申請號: 202111058027.2
• 申請日: 2021-09-09
• 公開（公告）號: CN113782590A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 賈護軍;董夢宇;王笑偉;朱順威;楊銀堂
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/786
• 代理公司: 西安瀚匯專利代理事務所(普通合伙) 61279
• 代理人: 汪重慶

1.一種具有部分下沉溝道的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管，其特征在于，自下而上包括4H-SiC半絕緣襯底(1)、P型緩沖層(2)和N型溝道層(3)，所述N型溝道層(3)的上方分別為源極帽層(4)和漏極帽層(5)，所述源極帽層(4)和漏極帽層(5)表面分別是源電極(6)和漏電極(7)，所述N型溝道層(3)上方靠近源極的一側形成柵電極(8)，柵極與源極之間是輕摻雜區域(9)，所述輕摻雜區域下方是部分下沉溝道的重摻雜區域(10)，高柵下方與漏極之間為絕緣區域(11)。

2.根據權利要求1所述具有部分下沉溝道的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管，其特征在于，所述輕摻雜區域(9)的高度為0.15μm，寬度為0.5μm，摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3。

3.根據權利要求1所述具有部分下沉溝道的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管，其特征在于，所述重摻雜區域(10)的高度為0.2μm，寬度為0.5μm，摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3。

4.根據權利要求1所述具有部分下沉溝道的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管，其特征在于，所述絕緣區域(11)高度為0.05μm，寬度為1.5μm。

5.根據權利要求1所述具有部分下沉溝道的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管，其特征在于，所述柵電極(8)，柵源間距為0.5μm，柵漏間距為1.0μm，柵長為0.7μm。

6.根據權利要求1所述具有部分下沉溝道的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管，其特征在于，所述絕緣區域(11)采用的是材料為氮化硅。