[發明專利]一種低功耗過溫檢測電路

有效

• 申請號: 202111057276.X
• 申請日: 2021-09-09
• 公開（公告）號: CN113884209B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 王粲;王穎;張曉輝;劉軍;錢哲弘
• 申請（專利權）人: 芯原微電子（成都）有限公司;芯原微電子（上海）股份有限公司;芯原微電子（南京）有限公司
• 主分類號: G01K7/25
• 分類號: G01K7/25
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 趙琴

1.一種低功耗過溫檢測電路，用于檢測待測設備是否過溫，其特征在于，所述低功耗過溫檢測電路包括：

偏置模塊，所述偏置模塊的第一輸入端連接參考電壓，所述偏置模塊根據所述參考電壓產生偏置電壓；所述參考電壓為所述低功耗過溫檢測電路所在芯片的內部電壓；

電阻橋，所述電阻橋包括檢測電阻，所述電阻橋的第一端連接所述偏置模塊的第二輸入端；用于產生閾值電壓和檢測電壓，所述閾值電壓對應于所述待測設備過溫的溫度值，所述檢測電壓對應于通過所述檢測電阻感應到的所述待測設備的實時溫度值；

處理模塊，所述處理模塊連接所述偏置模塊的輸出端和電阻橋；所述處理模塊根據所述偏置電壓和所述檢測電阻產生變頻控制指令，并根據所述變頻控制指令對所述閾值電壓和所述檢測電壓進行處理以輸出是否過溫的邏輯信號。

2.根據權利要求1所述的低功耗過溫檢測電路，其特征在于：所述處理模塊至少包括轉換單元、振蕩器和比較單元；

所述轉換單元的第一端連接所述偏置模塊的輸出端，所述轉換單元的第二端連接所述電阻橋的第一端，用于根據所述偏置電壓將所述檢測電阻的阻值轉換為電信號；

所述振蕩器的輸入端所述轉換單元的輸出端，用于根據所述電信號產生所述變頻控制指令；

所述比較單元的輸入端和所述比較單元的參考端連接所述電阻橋，所述比較單元的控制端連接所述振蕩器的輸出端；用于根據所述變頻控制指令對所述閾值電壓和所述檢測電壓進行處理以輸出是否過溫的邏輯信號。

3.根據權利要求2所述的低功耗過溫檢測電路，其特征在于：所述電信號正比于所述待測設備的實時溫度值。

4.根據權利要求2或3所述的低功耗過溫檢測電路，其特征在于：所述電阻橋還包括第一電阻支路和第二電阻支路；所述第一電阻支路和所述第二電阻支路并聯；所述第一電阻支路上的每個電阻和所述第二電阻支路上的每個電阻都為阻值相同的固定電阻；

所述第一電阻支路包括至少兩個電阻；所述第一電阻支路的第一端連接所述偏置模塊的第二輸入端，所述第一電阻支路的第二端接地；選擇所述第一電阻支路上兩電阻之間的第一中間連接點作為所述電阻橋的第一分壓點，所第一分壓點連接所述比較單元的參考端；所述第一分壓點產生所述閾值電壓；

所述第二電阻支路包括至少兩個電阻；所述第二電阻支路的第一端連接所述偏置模塊的第二輸入端，所述第二電阻支路的第二端接地；選擇所述第二電阻支路上兩電阻之間的第二中間連接點作為所述電阻橋的第二分壓點，所述第二分壓點連接所述檢測電阻的第一端，所述檢測電阻的第二端接地，所第二分壓點連接所述比較單元的輸入端，所述第二分壓點產生所述檢測電壓。

5.根據權利要求4所述的低功耗過溫檢測電路，其特征在于：所述處理模塊還包括雙向開關，所述雙向開關連接所述電阻橋和所述轉換單元，用于維持或改變所述電阻橋的結構關系，以控制所述比較單元的狀態。

6.根據權利要求5所述的低功耗過溫檢測電路，其特征在于：所述轉換單元包括第一電流鏡和第二NMOS管，所述第一電流鏡包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述第二NMOS管的柵極連接所述偏置模塊的輸出端，所述第二NMOS管的源極連接所述偏置模塊的第二輸入端；所述第二NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的漏極、所述第一PMOS管的柵極和所述第二PMOS管的柵極；所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極連接所述低功耗過溫檢測電路的供電電壓；所述第二PMOS管的漏極連接所述振蕩器的輸入端。

7.根據權利要求6所述的低功耗過溫檢測電路，其特征在于：所述雙向開關包括第一開關和第二開關；所述第一開關的第一端連接所述第二分壓點，所述第一開關的第二端連接所述檢測電阻的第一端，所述第一開關的控制端連接所述振蕩器的輸出端；所述第二開關的第一端連接所述檢測電阻的第一端，所述第二開關的第二端連接所述第二NMOS管的漏極，所述第二開關管的控制端通過反相器連接所述振蕩器的輸出端。