[發明專利]一種高精度過溫檢測電路

有效

• 申請號: 202111057271.7
• 申請日: 2021-09-09
• 公開（公告）號: CN113884208B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 王粲;何沁;張曉輝;劉軍;錢哲弘
• 申請（專利權）人: 芯原微電子（成都）有限公司;芯原微電子（上海）股份有限公司;芯原微電子（南京）有限公司
• 主分類號: G01K7/24
• 分類號: G01K7/24
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 趙琴

1.一種高精度過溫檢測電路，用于檢測待測設備是否過溫，其特征在于，所述高精度過溫檢測電路包括偏置模塊、轉換模塊、電阻模塊和比較模塊：

所述偏置模塊的第一輸入端連接參考電壓，所述偏置模塊根據所述參考電壓產生偏置電壓；所述參考電壓為所述高精度過溫檢測電路所在芯片的內部電壓；

所述轉換模塊的第一輸入端連接所述偏置模塊的輸出端，所述轉換模塊的第二輸入端連接所述電阻模塊的第一輸入端；所述轉換模塊根據所述偏置電壓和所述檢測電阻轉換輸出電流信號；

所述電阻模塊包括檢測電阻，所述電阻模塊的第一輸入端連接所述偏置模塊的第二輸入端，所述電阻模塊的第二輸入端連接所述轉換模塊的輸出端；所述電阻模塊根據所述檢測電阻產生檢測電壓，所述電阻模塊根據所述電流信號產生閾值電壓，所述閾值電壓對應于所述待測設備過溫的溫度值，所述檢測電壓對應于通過所述檢測電阻感應到的所述待測設備的實時溫度值；

所述比較模塊連接所述電阻模塊的輸出端；所述比較模塊對所述閾值電壓和所述檢測電壓進行處理以輸出是否過溫的邏輯信號。

2.根據權利要求1所述的高精度過溫檢測電路，其特征在于：所述電阻模塊還包括：

第一電阻支路，所述第一電阻支路的第一端連接所述偏置模塊的第二輸入端，所述第一電阻支路的第二端連接所述檢測電阻的第一端，所述檢測電阻的第二端連接公共接地端；第一電阻支路用于產生所述檢測電壓；

第二電阻支路，所述第二電阻支路的第一端連接所述轉換模塊的輸出端，所述第二電阻支路的第二端連接公共接地端；所述第二電阻支路用于產生所述閾值電壓。

3.根據權利要求2所述的高精度過溫檢測電路，其特征在于：所述轉換模塊包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的柵極連接所述第二PMOS管的柵極并連接所述偏置模塊的輸出端；所述第一PMOS管的源極和第二PMOS管的源極連接所述高精度過溫檢測電路的供電電壓；所述第一PMOS管的漏極連接所述第一電阻支路的第一端；所述第二PMOS管的漏極為所述轉換模塊的輸出端。

4.根據權利要求2所述的高精度過溫檢測電路，其特征在于：所述轉換模塊包括第一PMOS管、第二PMOS管和NMOS管；所述NMOS管的柵極連接所述偏置模塊的輸出端，所述NMOS管的源極連接所述偏置模塊的第二輸入端；所述NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的漏極、所述第一PMOS管的柵極和所述第二PMOS管的柵極；所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極連接所述高精度過溫檢測電路的供電電壓；所述第二PMOS管的漏極為所述轉換模塊的輸出端。

5.根據權利要求2所述的高精度過溫檢測電路，其特征在于：所述電阻模塊的輸出端包括：

第一分壓點，所述第一分壓點為所述第一電阻支路的第二端，通過所述第一分壓點產生所述檢測電壓；

第二分壓點，所述第二電阻支路包括至少兩個電阻，選擇所述第二電阻支路上的任一電阻的端電壓作為所述第二分壓點，所述第二分壓點的電壓不為零，通過第二分壓點產生所述閾值電壓。

6.根據權利要求5所述的高精度過溫檢測電路，其特征在于：所述比較模塊的第一輸入端連接第一分壓點，所述比較模塊的第二輸入端連接第二分壓點。

7.根據權利要求6所述的高精度過溫檢測電路，其特征在于：所述高精度過溫檢測電路還包括RC電路，所述RC電路包括：

濾波電阻，所述濾波電阻的一端連接所述比較模塊的第二輸入端，所述濾波電阻的另一端連接所述第二分壓點；

第二電容，所述第二電容的上極板連接所述比較模塊的第二輸入端，所述第二電容的下極板連接公共接地端。

8.根據權利要求1所述的高精度過溫檢測電路，其特征在于：所述高精度過溫檢測電路還包括第一電容，所述第一電容的上極板連接所述偏置模塊的第二輸入端，所述第一電容的下極板連接公共接地端。