[發明專利]一種半導體結構的制備方法、半導體生長設備

有效

• 申請號: 202111053526.2
• 申請日: 2021-09-09
• 公開（公告）號: CN113502460B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 程洋;王俊;肖嘯;萬中軍;郭銀濤;龐磊
• 申請（專利權）人: 蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

本發明提供一種半導體結構的制備方法、半導體生長設備，半導體生長設備包括：反應室；生長主管道，所述生長主管道的一端與所述反應室連接；放空主管道；第一混合主管道至第M混合主管道，M為大于或等于1的整數；第一反應氣源組至第N反應氣源組，N為大于或等于2的整數;第一切換閥組至第N切換閥組，第k切換閥組適于控制第k反應氣源組中的氣體向第j混合主管道的傳輸；k為大于等于1且小于等于N的整數；j為大于等于1且小于等于M的整數；第一生長放空切換閥至第M生長放空切換閥，第j生長放空切換閥適于將第j混合主管道中的氣體向生長主管道或放空主管道切換。采用該半導體生長設備有利于提高半導體結構生長過程中界面的陡峭性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種半導體結構的制備方法、半導體生長設備。

背景技術

半導體激光器、光電探測器、高電子遷移率晶體管等是重要的光電子類器件，在工業和軍事領域有著廣闊的市場前景。這類器件主要采用金屬有機物化學氣相沉積法（MOCVD）或者分子束外延（MBE）制作其外延結構，然后利用晶圓工藝將外延片制作成合格的器件。外延異質界面的陡峭度是表征外延生長工藝好壞的關鍵指標之一，且異質界面的陡峭度對器件的性能有著重要的影響。

同MBE相比，MOCVD具有生長速率可調節范圍大、設備穩定性好、易于維護等諸多優點，因此商用的器件常采用MOCVD來生長外延結構。但同MBE相比，MOCVD生長的異質界面陡峭度較差，在一定程度上會影響器件的性能。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中生長界面的陡峭性較差的問題。從而提供一種半導體結構的制備方法、半導體生長設備。

本發明提供一種半導體生長設備，包括：反應室；生長主管道，所述生長主管道的一端與所述反應室連接；放空主管道；第一混合主管道至第M混合主管道，M為大于或等于1的整數；第一反應氣源組至第N反應氣源組，N為大于或等于2的整數;第一切換閥組至第N切換閥組，第k切換閥組適于控制第k反應氣源組中的氣體向第j混合主管道傳輸；k為大于等于1且小于等于N的整數；j為大于等于1且小于等于M的整數；第一生長放空切換閥至第M生長放空切換閥，第j生長放空切換閥適于切換第j混合主管道中的氣體向生長主管道或向放空主管道傳輸。

可選的，M等于1；第k切換閥組適于切換第k反應氣源組中的氣體向第一混合主管道或向放空主管道傳輸。

可選的，還包括：第一混合支路管組至第N混合支路管組，第一混合支路管組至第N混合支路管組均與第一混合主管道連接；第一氣源連接管組至第N氣源連接管組，第k氣源連接管組與第k反應氣源組連接；第一放空支路管組至第N放空支路管組，第k切換閥組適于切換第k氣源連接管組中的氣體向第k混合支路管組或向第k放空支路管組傳輸。

可選的，第k混合支路管組包括第一個第k子混合支路管至第Q_k個第k子混合支路管；第k放空支路管組包括第一個第k子放空支路管至第Q_k個第k子放空支路管；第k氣源連接管組包括第一個第k子氣源連接管至第Q_k個第k子氣源連接管；第k切換閥組包括第一個第k子切換閥至第Q_k個第k子切換閥；第q_k個第k子切換閥適于切換第q_k個第k子氣源連接管中的氣體向第q_k個第k子混合支路管或向第q_k個第k子放空支路管傳輸；q_k為大于等于1且小于等于Q_k的整數。

可選的，M大于等于2，且M小于或等于N；第k切換閥組適于切換第k反應氣源組中的氣體向第j混合主管道傳輸或向放空主管道傳輸。