[發明專利]一種Micro-LED芯片的巨量轉移方法

在審

• 申請號: 202111051684.4
• 申請日: 2021-09-08
• 公開（公告）號: CN113690171A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 劉召軍;容沃鋮;羅冰清;李嘉怡;蔣府龍;劉亞瑩
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L27/15
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

本發明實施例公開了一種Micro?LED芯片的巨量轉移方法，包括：提供一藍寶石襯底，在藍寶石襯底上形成LED芯片陣列；在LED芯片陣列的第一表面黏附藍膜并去除藍寶石襯底；拉伸藍膜以使LED芯片陣列中的芯片間距達到預設距離；通過超分辨率PDMS印章吸附LED芯片陣列的第二表面并去除藍膜，其中，超分辨率PDMS印章吸附LED芯片陣列的區域包括由多個孔洞組成的孔洞陣列，孔洞的尺寸小于LED芯片陣列的芯片尺寸，孔洞陣列的孔洞密度大于LED芯片陣列的芯片密度；移動超分辨率PDMS印章至驅動基板后剝離超分辨率PDMS印章，以使LED芯片陣列轉移至驅動基板。本發明實施例在印章吸附LED芯片時無需對準，即簡化了操作，又加快了轉移速度，進而提高轉移效率和精確性。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種Micro-LED芯片的巨量轉移方法。

背景技術

微型發光二極管(Micro Light-Emitting Diode，Micro-LED)是新一代顯示技術，相較于OLED(Organic Light Emitting Display，有機發光二極管)技術，Micro-LED亮度更高、發光效率更好、但功耗更低，因此其市場前景備受看好。

在Micro-LED顯示器件制作過程中，需要將大量的Micro-LED芯片從原始襯底轉移到驅動電路基板上排列成陣列，這稱為Micro LED芯片的巨量轉移。印章轉移技術是芯片巨量轉移技術中的一種，如圖1所示，印章1上具有多個用于吸附芯片3的凸起2，在轉移時，首先將凸起2與芯片3對準，然后通過凸起2吸附芯片3，移動印章1至驅動基板4上方，使芯片3與驅動基板4對準，最后剝離印章1使芯片3轉移至驅動基板4。Micro-LED芯片尺寸非常細小(通常為幾十微米)，在對準時稍有偏差就會對最終形成的器件形成產生影響。現有高精度對準設備通常是在晶圓廠使用的，能達到納米精度，但成本可以說是天價。Micro-LED巨量轉移技術加工方通常為封裝廠，沒有條件采用高價高精度對準設備，因此目前巨量轉移中倒裝的精度很難達到幾微米。同時，通常通過加熱或加壓方式實現印章剝離，加熱加壓使印章凸起向外膨脹，這就會導致對準后的芯片與驅動基板之間產生偏差，進而影響器件性能。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種Micro-LED芯片的巨量轉移方法，以降低Micro-LED芯片的對對準難度、轉移難度，提高轉移精度。

本發明實施例提供一種Micro-LED芯片的巨量轉移方法，包括：

提供一藍寶石襯底，在所述藍寶石襯底上形成LED芯片陣列；

在所述LED芯片陣列的第一表面黏附藍膜并去除所述藍寶石襯底；

拉伸所述藍膜以使所述LED芯片陣列中的芯片間距達到預設距離；

通過超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片陣列的第二表面并去除所述藍膜，其中，所述超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片陣列的區域包括由多個孔洞組成的孔洞陣列，所述孔洞的尺寸小于所述LED芯片陣列的芯片尺寸，所述孔洞陣列的孔洞密度大于所述LED芯片陣列的芯片密度；

移動所述超分辨率PDMS印章至驅動基板后剝離所述超分辨率PDMS印章，以使所述LED芯片陣列轉移至所述驅動基板。

進一步的，所述在所述LED芯片陣列的第一表面黏附藍膜并去除所述藍寶石襯底之前，還包括：

在所述LED芯片陣列的第一表面形成完全覆蓋所述LED芯片陣列的保護層。

進一步的，所述在所述LED芯片陣列的第一表面黏附藍膜并去除所述藍寶石襯底包括：

在所述保護層上黏附藍膜并通過激光剝離技術去除所述藍寶石襯底。

進一步的，所述通過超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片陣列的第二表面并去除所述藍膜之前，還包括：