[發(fā)明專利]一種低噪聲放大器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111046747.7 | 申請日： | 2021-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN113708732A | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡澤宇;李巖昊;傅海鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 芯靈通（天津）科技有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/32 | 分類號： | H03F1/32;H03F1/26;H03F1/52;H03F1/56;H03F3/193 |
| 代理公司： | 天津企興智財知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12226 | 代理人： | 安孔川 |
| 地址： | 300000 天津市濱海新區(qū)高新區(qū)*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 低噪聲放大器 | ||
1.一種低噪聲放大器，其特征在于：包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)一端連接信號輸入端，另一端分別連接LNA通路和Bypass通路，LNA通路和Bypass通路通過輸出匹配網(wǎng)絡(luò)連接信號輸出端；
LNA通路和Bypass通路均通過控制邏輯電路連接外部控制信號端，控制信號經(jīng)控制邏輯電路控制LNA通路和Bypass通路的切換，控制邏輯電路的輸出端與LNA通路之間還分別連接有用于控制LNA通路通斷的開關(guān)電路和用于向LNA通路提供偏置電壓的偏置電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低噪聲放大器，其特征在于：輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括電感L1，電感L1的一端連接信號輸入端，另一端通過電容C2連接LNA通路，電感L1與電容C2之間連接有電容C1，電容C1接地；
輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括電感L2，電感L2的一端連接LNA通路，另一端分別連接開關(guān)電路、電源VDD端和通過電容C4連接信號輸出端，電容C4與電感L2之間連接有電容C3，電容C3一端還通過電容C7連接Bypass通路，電容C3另一端接地，電容C4與信號輸出端之間連接有電容C5，電容C5接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低噪聲放大器，其特征在于：控制邏輯電路包括反相器電路和NMOS管M7；
反相器電路包括PMOS管P1、PMOS管P2、NMOS管M8和NMOS管M9，PMOS管P1的漏極連接NMOS管M8的漏極，POMS管P1的柵極連接NMOS管M8的柵極，NMOS管M8的源極接地，PMOS管P1的源極連接電源VDD，PMOS管P1的漏極連接PMOS管P2的柵極，PMOS管P2的柵極連接NMOS管M9的柵極，PMOS管P2的源極連接PMOS管P1的源極，NMOS管M9的漏極連接NMOS管M9的漏極，NMOS管M9的源極接地；
NOMS管M8的柵極連接反相器電路的輸入端，NMOS管M9的漏極連接反相器電路的輸出端，反相器電路的輸出端連接偏置電路和開關(guān)電路；
反相器電路的輸入端連接NMOS管M7的源極，NMOS管M7的源極通過電阻R2接地，NMOS管M7的漏極連接電源VDD，NMOS管M7的柵極連接外部控制信號端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種低噪聲放大器，其特征在于：偏置電路包括NMOS管M5和NMOS管M6；
NMOS管M5的柵極通過電阻R5連接反相器電路的輸出端，NMOS管M5的源極接地，NMOS管M5的漏極連接NMOS管M6的柵極，NMOS管M6的源極接地，NMOS管M6的漏極通過電阻R6連接LNA通路；
NMOS管M5的漏極還連接有電流源IDC，電流源IDC接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低噪聲放大器，其特征在于：LNA通路包括NMOS管M1和NMOS管M2，NMOS管M1的柵極分別連接電容C2和電阻R6，NMOS管M1的源極接地，NMOS管M1的漏極連接NMOS管M2的源極，NMOS管M2的柵極連接開關(guān)電路，NMOS管M2的漏極連接電感L2。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種低噪聲放大器，其特征在于：Bypass通路包括NMOS管M3，NMOS管M3的的柵極通過電阻R7連接PMOS管P2的柵極，NMOS管M3的源極通過電容C6連接NMOS管M1的柵極，NMOS管M3的漏極通過電阻R1連接電容C7。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種低噪聲放大器，其特征在于：開關(guān)電路包括NMOS管M4，NMOS管M4的柵極通過電阻R8連接反相器的輸出端，NMOS管M4的源極依次連接有電阻R3和電阻R4，電阻R4的一端接地；
電阻R3和電阻R4之間的線路上連接有電阻R9，電阻R9的另一端連接NMOS管M2的柵極，電阻R9和NMOS管M2的柵極之間的線路上連接有電容C8，電容C8的一端接地；
NMOS管M4的漏極通過電容C4連接信號輸出端，NMOS管M4的漏極與電容C4之間的線路上分別連接電容C9和電容C10，電容C9和電容C10的一端接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低噪聲放大器，其特征在于：NMOS管M7的柵極與外部控制信號端之間的線路上還連接有ESD靜電保護器。
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