[發明專利]等離子噴頭及半導體用大氣等離子清洗設備

在審

• 申請號: 202111043978.2
• 申請日: 2021-09-07
• 公開（公告）號: CN113658892A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 張曹
• 申請（專利權）人: 常州井芯半導體設備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B08B7/00;H01J37/32
• 代理公司: 常州市天龍專利事務所有限公司 32105
• 代理人: 于雅潔

1.一種等離子噴頭，其特征在于，包括：外殼、管狀電極和絕緣體；

所述外殼內部具有容納腔，所述管狀電極設置于所述容納腔內，所述管狀電極的兩側與所述外殼的內壁間填充有所述絕緣體且將所述容納腔分隔成第一腔室和第二腔室，所述外殼的進氣口與所述第一腔室連通，所述外殼的噴氣口與所述第二腔室連通，所述第一腔室與所述第二腔室通過所述管狀電極的內部通道連通，所述管狀電極的出氣口與所述外殼的內壁之間具有間隙，所述出氣口位于所述管狀電極的底部兩側。

2.根據權利要求1所述的等離子噴頭，其特征在于，所述管狀電極的入氣口位于所述管狀電極的頂部，所述第一腔室內的氣流能夠通過所述入氣口進入所述管狀電極內部并從兩側的所述出氣口進入到所述第二腔室。

3.根據權利要求2所述的等離子噴頭，其特征在于，所述出氣口與所述外殼的內壁之間的間隙為G，0.2mm≤G≤4mm。

4.根據權利要求1所述的等離子噴頭，其特征在于，所述噴氣口的寬度為0.1mm-3mm，長度為10mm-320mm。

5.一種半導體用大氣等離子清洗設備，其特征在于，包括：等離子射頻電源組件、氣源和權利要求1-4任一項所述的等離子噴頭，所述等離子射頻電源組件與所述管狀電極電連接，所述氣源與所述進氣口連接。

6.根據權利要求5所述的半導體用大氣等離子清洗設備，其特征在于，所述氣源提供的氣體中，至少含有90％的氬氣或氦氣。

7.根據權利要求5所述的半導體用大氣等離子清洗設備，其特征在于，所述等離子射頻電源組件包括射頻電源、匹配器，所述射頻電源與所述匹配器連接，所述匹配器與所述管狀電極連接，所述射頻電源的頻率大于15MHz，所述射頻電源施加于所述管狀電極的電壓小于1000V。

8.根據權利要求7所述的半導體用大氣等離子清洗設備，其特征在于，所述所述射頻電源的頻率為27.12MHz或40MHz。

9.根據權利要求5所述的半導體用大氣等離子清洗設備，其特征在于，所述氣源供氣時，所述外殼的噴氣口的氣體流量為15-50ml/min。

10.根據權利要求9所述的半導體用大氣等離子清洗設備，其特征在于，所述半導體用大氣等離子清洗設備還包括載物臺，所述外殼的噴氣口與所述載物臺上的待清洗物件的間距為1-15mm。