[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管、制備方法以及顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111032246.3
• 申請(qǐng)日: 2021-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN113782615A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐苗;李民;陳禧;李洪濛;龐佳威;周雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 郭德霞

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種薄膜晶體管、制備方法以及顯示面板。該薄膜晶體管包括：襯底；疊層設(shè)置在襯底表面的有源層、柵極、源極和漏極；有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，源區(qū)與源極連接，漏區(qū)與漏極連接，且源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)的導(dǎo)電率相等；源極和漏極，至少有1個(gè)在襯底上的投影和柵極在襯底上的投影無(wú)交疊；有源層的載流子濃度大于或等于10¹⁸/cm³，且小于或等于10²⁰/cm³。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，無(wú)需對(duì)有源層進(jìn)行高導(dǎo)化處理，簡(jiǎn)化了薄膜晶體管的制備工藝，降低了薄膜晶體管的制作成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、制備方法以及顯示面板。

背景技術(shù)

薄膜晶體管作為液晶、有機(jī)顯示器的關(guān)鍵器件，對(duì)于顯示器件的工作性能具有十分重要的作用。

現(xiàn)有的薄膜晶體管包括襯底，以及位于襯底表面疊層設(shè)置的有源層、柵極、源極和漏極，通常需要對(duì)有源層與源極相連的部分以及漏極與有源層相連的部分進(jìn)行高導(dǎo)化處理，以提高有源層與源極相連的部分以及有源層與漏極相連的部分的導(dǎo)電率，以提高薄膜晶體管的響應(yīng)速率。但是對(duì)有源層進(jìn)行高導(dǎo)化處理的工藝比較繁瑣，導(dǎo)致薄膜晶體管的制作成本過(guò)高。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管、制備方法以及顯示面板，以簡(jiǎn)化薄膜晶體管的制備工藝，降低薄膜晶體管的制作成本。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括：

襯底；

疊層設(shè)置在所述襯底表面的有源層、柵極、源極和漏極；

所述有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，所述源區(qū)與所述源極連接，所述漏區(qū)與所述漏極連接，且所述源區(qū)、所述溝道區(qū)和所述漏區(qū)的導(dǎo)電率相等；

所述源極和所述漏極，至少有1個(gè)在所述襯底上的投影和所述柵極在所述襯底上的投影無(wú)交疊；

所述有源層的載流子濃度大于或等于10¹⁸/cm³，且小于或等于10²⁰/cm³。

可選的，所述有源層的載流子遷移率大于或等于20cm²/(V·s)，且小于或等于100cm²/(V·s)。

可選的，所述有源層包括(AO)_x(BO)_y(RO)_z，其中，x+y+z＝1；0.5≤x≤0.8，0≤y≤0.3，0.00001≤z≤0.05，所述A包括銦和/或錫，所述B包括鋅、鎵、鉭以及鉍中的至少一種，所述RO包括氧化鐠、氧化鋱、氧化鏑以及氧化鐿中的至少一種。

可選的，所述源極和所述漏極，至少有1個(gè)和所述柵極位于同一層，且材料相同。

可選的，還包括柵極絕緣層；

所述有源層位于所述襯底的表面；

所述柵極絕緣層位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的表面，其中，所述柵極絕緣層設(shè)置有間隔設(shè)置的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；

所述柵極、所述源極和所述漏極位于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間，所述源極通過(guò)第一過(guò)孔與所述源區(qū)連接，所述漏極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述漏區(qū)連接。

可選的，還包括柵極絕緣層；

所述柵極、所述源極和所述漏極位于所述襯底的表面，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間；

所述柵極絕緣層位于所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底的表面，且覆蓋所述源極和所述漏極，其中，所述柵極絕緣層設(shè)置有間隔設(shè)置的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；