[發明專利]半導體結構的清洗裝置及清洗方法

在審

• 申請號: 202111028542.6
• 申請日: 2021-09-02
• 公開（公告）號: CN115739792A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 梅曉波;崔振東
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/10;B08B3/14;H01L21/67
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 苗源

本公開提供了一種半導體結構的清洗裝置及清洗方法，其中，清洗裝置包括清洗槽，清洗槽內部構造有清洗空間，沿第一方向，清洗空間包括順序連通的清洗區和紊流區，清洗區內設有至少一個用于通入清洗液的進液單元，紊流區內設有至少一個清洗液流出的清洗出口，紊流區用于改變并引導清洗液的流動方向，以對放置于清洗區內的至少一個半導體結構進行清洗；清洗裝置還包括控制器，控制器與進液單元電連接。本公開通過在清洗槽中設置順序連通的清洗區和紊流區，利用紊流區打亂清洗液的流動方向，從而有效清除半導體結構表面的微粒，提高半導體結構的清洗效果，有利于后續制程的穩定，提高產品良率。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體結構的清洗裝置及清洗方法。

背景技術

半導體制造是一個工藝極其復雜的過程。在整個半導體制造過程中，為了保證半導體結構表面的清潔，經常需要對半導體結構進行清洗處理。

相關技術中，使用傳統清洗設備對半導體結構的加工表面進行清洗時，只能去除酸性溶液或堿性溶液，此類傳統清洗設備對半導體結構表面的微粒的清洗效果較差，導致半導體結構后續制程中的不良率高，從而降低了半導體結構的性能。

發明內容

以下是對本公開詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本公開提供一種半導體結構清洗裝置及清洗方法。

本公開實施例的第一方面提供了一種半導體結構的清洗裝置，所述清洗裝置包括清洗槽，所述清洗槽內部構造有清洗空間，沿第一方向，所述清洗空間包括順序連通的清洗區和紊流區，所述清洗區內設有至少一個用于通入清洗液的進液單元，所述紊流區內設有至少一個供所述清洗液流出的清洗出口，其中，所述紊流區用于改變并引導所述清洗液的流動方向，以對放置于所述清洗區內的至少一個半導體結構進行清洗；所述清洗裝置還包括控制器，所述控制器與所述進液單元電連接。

根據本公開的一些實施例，所述清洗槽包括擋板、底板和頂板，多個所述擋板依次順序連接，所述底板設置于所述擋板的底端，所述頂板設置于所述擋板的頂端，所述底板和所述頂板配合多個所述擋板以圍合成所述清洗空間，至少一個所述進液單元靠近所述底板設置，其中，至少一個所述擋板的上端設置有紊流板，所述至少一個所述擋板上的所述紊流板圍合成所述紊流區，至少一個所述清洗出口靠近所述頂板設置。

根據本公開的一些實施例，所述紊流板與所述擋板一體成型。

根據本公開的一些實施例，沿所述第一方向，所述紊流板包括至少兩個間隔設置的紊流帶，其中，每個所述紊流帶中均設有紊流孔，每個所述紊流帶中的紊流孔的數量不同。

根據本公開的一些實施例，每個所述紊流帶中的所述紊流孔均勻間隔設置，且相鄰的所述紊流帶中的所述紊流孔錯位設置。

根據本公開的一些實施例，沿所述第一方向，所述紊流帶中的所述紊流孔的個數依次遞增。

根據本公開的一些實施例，所述紊流孔的孔徑范圍為2mm～5mm。

根據本公開的一些實施例，每個所述紊流帶中相鄰的紊流孔之間的距離范圍為20mm～50mm。

根據本公開的一些實施例，所述紊流孔的截面形狀包括：圓形、矩形和正多邊形其中的一種。

根據本公開的一些實施例，沿所述第一方向，所述紊流帶中的所述紊流孔的個數依次為10N、10(N+1)、10(N+2)、…10(N+N)，其中，N為大于等于1的整數。

根據本公開的一些實施例，所述清洗裝置包括多個清洗劑容置槽，多個所述清洗劑容置槽分別與所述進液單元連通；

所述清洗液包括酸性清洗劑、堿性清洗劑和水其中的一種，不同重量的所述清洗液容置于不同的所述清洗劑容置槽中。