[發明專利]一種基于倏逝場的光纖憶阻單元有效
| 申請號： | 202111021714.7 | 申請日： | 2021-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN113724759B | 公開（公告）日： | 2023-07-14 |
| 發明（設計）人： | 金威;李翔;程思瑩;李亞茹;張毅博;張亞勛;張羽;劉志海;楊軍;苑立波 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工程大學 |
| 主分類號： | G11C13/04 | 分類號： | G11C13/04;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京圣州專利代理事務所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 劉巖 |
| 地址： | 150001 黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 倏逝場 光纖 單元 | ||
1.一種基于倏逝場的光纖憶阻單元，包括單模光纖（1）、光學相變材料薄膜（2）、防氧化薄膜（3）以及側面凹槽（4）；
所述單模光纖（1）的側面凹槽（4）鍍有光學相變材料薄膜（2），光學相變材料薄膜（2）上方鍍有防氧化薄膜（3）；
所述的光學相變材料薄膜（2），其材質為硫系化合物，其中，具體為鍺銻碲合金（Ge2Sb2Te5）或銀銦銻碲合金（AgInSbTe）；
所述的光學相變材料薄膜（2）至少存在兩種相態，晶態與非晶態，兩種相態的在通訊波段的吸收率存在差異，晶態吸收率高、非晶態吸收率低；
所述的光學相變材料薄膜（2）通過射頻磁控濺射的方式與單模光纖（1）中側面凹槽（4）底部結合，其厚度為10nm；
所述的防氧化薄膜（3）的材質為氧化銦錫（ITO）；
所述的防氧化薄膜（3）防止光學相變材料薄膜（2）暴露在空氣中被氧化；
所述的防氧化薄膜（3）通過射頻磁控濺射的方式與光學相變材料薄膜（2）結合，其厚度為10nm；
所述側面凹槽（4）由單模光纖（1）通過飛秒激光加工，形成凹槽結構，凹槽的底部距離纖芯2~5μm，凹槽軸向長度為10μm、橫向長度為5μm；
所述的基于倏逝場的光纖憶阻單元由峰值功率較大的通訊波段的脈沖激光進行“擦寫”操作，脈沖激光通過倏逝場與光學相變材料薄膜（2）耦合作用，調控光學相變材料薄膜（2）的相態，從晶態到非晶態任意切換；
所述的基于倏逝場的光纖憶阻單元，由功率較弱的通訊波段的連續激光對光纖憶阻單元的透射率進行“讀取”，光學相變材料薄膜（2）處于晶態時，吸收率高，光纖憶阻單元出射的連續激光處于低態；光學相變材料薄膜（2）處于非晶態時，吸收率低，光纖憶阻單元出射的連續激光處于高態；光學相變材料薄膜（2）處于晶態與非晶態之間時，光纖憶阻單元出射的連續激光處于中間態，以此表征存儲的級次。
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