[發明專利]一種基于SANI工藝的污水處理方法

在審

• 申請號: 202111016586.7
• 申請日: 2021-08-31
• 公開（公告）號: CN113636648A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 毛韋達;樊蓓莉;張衢;趙晴
• 申請（專利權）人: 北京東方園林環境股份有限公司
• 主分類號: C02F3/30
• 分類號: C02F3/30;C02F3/34
• 代理公司: 北京金蓄專利代理有限公司 11544
• 代理人: 姚金良

本發明涉及一種基于SANI工藝的污水處理方法，在沿水流方向并排平行設置第一池體單元、第二池體單元及第三池體單元，并沿水流方向依次設置的進水區、生物填料區、出水區，并在池體單元內部設置導流機構、曝氣充氧裝置等結構，并且在構建的污水處理裝置基礎上，按四個工藝階段周期運行，有效解決了基于SANI工藝的硫自養反硝化?硝化集成工藝過程中產酸和硫酸鹽的二次污染問題，并且設有填料恢復工段，能夠有效減少污泥產出及絲狀菌膨脹情況，同時通過導流轉刷及導流板的作用控制水流流向實現反沖洗，解決了因產泥造成的基質積水和凈化能力下降問題。

技術領域

本發明屬于水處理技術領域，特別是涉及一種基于SANI工藝的污水處理方法，主要應用于生產、生活污水的凈化。

背景技術

未經妥善處理而失控排放的含氮污水，對生態環境功能及公共健康安全構成了嚴重威脅，水體氮污染已成為中國現階段水環境安全的主要問題之一。為進一步削減氮排放，控制水體氮污染，對脫氮工藝的處理能力提出了更為嚴格的要求。主流的異養反硝化工藝仍存在需額外投加碳源導致處理成本較高以及產泥量大的問題，而硫自養反硝化工藝具有無需外加碳源，產泥量少，脫氮效率高等優點，成為一個可行的探索方向。

硫酸鹽還原、自養反硝化和硝化集成工藝(sulfate reduction，autotrophicdenitrification and nitrification integrated，SANI)是一種基于硫循環、低污泥產出的污水處理新工藝。該工藝不僅可實現去除有機物、脫氮、消毒等水處理要求，還從源頭上解決了污水處理產生大量污泥的問題。然而在SANI應用中，常規脫氮裝置難以達到SANI工藝所需的交替氧環境以及硫酸鹽還原菌所需的嚴格厭氧環境，并且構建成本高昂。再者，硫自養反硝化、硝化集成工藝在脫氮處理過程產酸和硫酸鹽，若不加以處理會產生二次污染。

因此，如何構建一個基于SANI工藝的滿足各工段微生物提供適宜的氧環境來強化裝置處理污、廢水的水處理裝置并進行合理的運行方案設計是解決SANI工藝在污水處理應用亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的是針對常規脫氮裝置布設運行無法滿足SANI工藝微生物所需氧環境，硫自養反硝化過程產酸和硫酸鹽，不加以處理會產生二次污染的問題，提出一種基于SANI工藝的污水處理方法，以提高處理低碳氮比污水的脫氮效果，同時通過填料恢復工段有效減少污泥產出及絲狀菌膨脹情況，避免填料單元堵塞導致的出水水質惡化。

為實現上述目的，本發明提供了一種基于SANI工藝的污水處理方法，所述污水處理方法包括如下步驟：

步驟(1)，沿水流方向并排平行設置第一池體單元、第二池體單元及第三池體單元，所述第一池體單元、第二池體單元及第三池體單元沿水流方向均設置進水區，所述進水區包括設置在底部的進水管、設置在池內的導流機構、設置在所述導流機構后的曝氣充氧裝置及設置在相鄰池體單元之間的連通閘，所述導流機構包括呈弧形設置的導流板以及設置在所述導流板內側的導流轉刷，所述曝氣充氧裝置包括曝氣轉刷及控制所述曝氣轉刷轉速的控速單元；

步驟(2)，在進水區后設置生物填料區，所述生物填料區內設置若干填料單元，在所述填料單元上方設置天橋，在所述池體單元軸線上設置分流墻，所述填料單元包括模塊化蜂巢型的填料框及填充在所述填料框內的第一復配填料與第二復配填料，所述第一復配填料填充在第一池體單元與第三池體單元內，所述第二復配填料填充在第二池體單元內；

步驟(3)，在生物填料區后設置出水區，所述出水區主體結構與進水區結構中心對稱，所述出水區中導流機構、曝氣充氧裝置及連通閘均與進水區結構相同，所述出水區底部設置出水管，完成污水處理裝置的構建；

步驟(4)，污水處理裝置的構建后，以階段A、階段B兩種方式連續交替或間隔交替運行；

其中，階段A運行方式為：污水進入第一池體單元進行部分反硝化，之后進入第二池體單元完成硝化過程，再進入第三池體單元進行反硝化，之后排出；