[發明專利]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202111013428.6 | 申請日: | 2021-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN113745252B | 公開(公告)日: | 2023-07-04 |
| 發明(設計)人: | 吳紹靜 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區;所述顯示面板包括:
基板;
像素驅動電路層,設置于所述基板上且位于所述顯示區,包括多個像素驅動電路;
第一平坦層,設置于所述像素驅動電路層遠離所述基板的一側;
第一導電層,設置于所述第一平坦層遠離所述基板的一側,并通過貫穿所述第一平坦層的第一通孔與相應的所述像素驅動電路電連接;
第二平坦層,設置于所述第一導電層遠離所述基板的一側;
第一電極,設置于所述第二平坦層遠離所述基板的一側,且通過貫穿所述第二平坦層的第二通孔與所述第一導電層電連接;
金屬接觸層,設置于所述像素驅動電路層遠離所述基板的一側,并設置在所述非顯示區,所述金屬接觸層的邊緣與所述第二平坦層的邊緣之間具有間隙,所述金屬接觸層未覆蓋所述第二平坦層;
發光層,設置于所述第一電極遠離所述基板的一側;以及
第二電極,設置于所述發光層遠離所述基板的一側,且在所述非顯示區與所述金屬接觸層電連接;
所述非顯示區包括第一非顯示區和第二非顯示區,所述第一非顯示區位于所述顯示區和所述第二非顯示區之間,所述第二平坦層從所述顯示區延伸至所述第一非顯示區,所述金屬接觸層設置于所述第二非顯示區;
沿所述顯示區指向所述非顯示區的方向上,所述間隙的尺寸大于或等于10微米;
所述金屬接觸層與所述第一電極具有相同的導電材質。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第二導電層,設置于所述第二平坦層遠離所述基板的一側;以及
第三平坦層,設置于所述第二導電層遠離所述基板的一側,所述第一電極通過貫穿所述第三平坦層的第三通孔與所述第二導電層電連接,所述第二導電層通過所述第二通孔與所述第一導電層電連接,所述金屬接觸層的邊緣與所述第三平坦層的邊緣之間具有間隙。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第三導電層,設置于所述第三平坦層遠離所述基板的一側;以及
第四平坦層,設置于所述第三導電層遠離所述基板的一側,所述第一電極通過貫穿所述第四平坦層的第四通孔與所述第三導電層電連接,所述第三導電層通過所述第三通孔與所述第二導電層電連接;所述金屬接觸層的邊緣與所述第四平坦層的邊緣具有間隙。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述發光層包括多個發光像素;所述顯示面板包括多個設置于所述顯示區的第一通氣孔,所述第一通氣孔設置于相鄰的所述發光像素所對應的所述第一電極之間,且其一端延伸至所述第一電極,其另一端貫穿所述第二平坦層。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一通氣孔靠近所述非顯示區設置。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述金屬接觸層上設置有多個間隔排布的第二通氣孔,所述第二通氣孔貫穿所述金屬接觸層。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第二通氣孔靠近所述顯示區設置。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素驅動電路層包括:
半導體層,設置于所述基板上;
柵極絕緣層,覆于所述半導體層上;
第一柵極層,設置于所述柵極絕緣層上;
第一層間絕緣層,覆于所述第一柵極層及所述柵極絕緣層上;
第二柵極層,設置于所述第一柵極層上;
第二層間絕緣層,覆于所述第二柵極層及所述第一層間絕緣層上;
源漏極金屬層,設置于所述第二層間絕緣層上,所述第一導電層通過所述第一通孔與所述源漏極金屬層電連接;以及
所述第一平坦層,設置于所述源漏極金屬層上。
9.根據權利要要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括設置于所述非顯示區的電源信號線,所述電源信號線與所述源漏極金屬層同層設置,所述金屬接觸層與所述電源信號線電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





