[發明專利]復合銅箔結構、其制備方法及覆銅箔層壓板和印刷電路板

在審

• 申請號: 202111009822.2
• 申請日: 2021-08-31
• 公開（公告）號: CN113873750A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 張齊艷;蔡黎;高峰
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H05K1/09
• 分類號: H05K1/09;C23C14/18;C23C14/58;C23C16/26;C23C28/00;C25D3/38;C25D5/50;C25D5/54;B32B15/20;B32B9/00;B32B9/04;B32B37/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 鄒雅瑩

1.一種復合銅箔結構，其特征在于，包括：

銅箔芯層，所述銅箔芯層沿厚度方向具有相對的第一表面和第二表面；

殼層，所述殼層至少位于所述銅箔芯層的所述第一表面和所述第二表面；

其中，所述殼層包括N層石墨烯層和M層金屬銅層，所述石墨烯層和所述金屬銅層交替疊層設置，所述殼層中靠近所述銅箔芯層的一面為所述石墨烯層，N為大于0的整數，M為大于0的整數，且M＝N或M＝N-1；

所述銅箔芯層的厚度大于所述殼層中所述金屬銅層的厚度。

2.如權利要求1所述的復合銅箔結構，其特征在于，所述銅箔芯層是經過單晶化處理后的，所述單晶化處理用于誘導所述銅箔芯層的表面沿(111)晶面擇優取向。

3.如權利要求1或2所述的復合銅箔結構，其特征在于，所述M層金屬銅層中至少有一層所述金屬銅層是單晶化處理后的，所述單晶化處理用于誘導所述金屬銅層的表面沿(111)晶面擇優取向。

4.如權利要求1-3任一項所述的復合銅箔結構，其特征在于，所述銅箔芯層的厚度為0.5oz～6oz。

5.如權利要求1-4任一項所述的復合銅箔結構，其特征在于，所述M層金屬銅層中，每一層所述金屬銅層的厚度為0.1μm～40μm。

6.如權利要求1-5任一項所述的復合銅箔結構，其特征在于，所述N層石墨烯層中，每一層所述石墨烯層厚度為1～10層石墨烯分子層。

7.如權利要求1-6任一項所述的復合銅箔結構，其特征在于，所述殼層中的所述金屬銅層通過物理氣相沉積法或電化學沉積法形成。

8.一種覆銅箔層壓板，其特征在于，包括疊層設置的介質材料和如權利要求1-7任一項所述的復合銅箔結構。

9.一種印刷電路板，其特征在于，包括如權利要求8所述的覆銅箔層壓板，或如權利要求1-7任一項所述的復合銅箔結構。

10.一種復合銅箔結構的制備方法，其特征在于，包括：

提供銅箔芯層，所述銅箔芯層沿厚度方向具有相對的第一表面和第二表面；

至少在所述銅箔芯層的所述第一表面和所述第二表面上形成殼層；

其中，所述殼層包括N層石墨烯層和M層金屬銅層，所述石墨烯層和所述金屬銅層交替疊層設置，所述殼層中靠近所述銅箔芯層一側為所述石墨烯層，N為大于0的整數，M為大于0的整數，且M＝N或M＝N-1；所述銅箔芯層的厚度大于所述殼層中所述金屬銅層的厚度。

11.如權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述銅箔芯層的表面上形成所述殼層之前還包括：對所述銅箔芯層進行單晶化處理，所述單晶化處理用于誘導所述銅箔芯層的表面沿(111)晶面擇優取向。

12.如權利要求10或11所述的制備方法，其特征在于，在所述銅箔芯層的表面上形成所述殼層，包括：

在所述銅箔芯層表面依次形成交替疊層設置的石墨烯層和金屬銅層，直至形成N層所述石墨烯層和M層所述金屬銅層。

13.如權利要求12所述的制備方法，其特征在于，在所述銅箔芯層表面依次形成交替疊層設置的石墨烯層和金屬銅層時，至少有一層所述石墨烯層采用薄膜轉移法或者化學氣相沉積法形成。

14.如權利要求12所述的制備方法，其特征在于，在所述銅箔芯層表面依次形成交替疊層設置的石墨烯層和金屬銅層時，至少有一層所述金屬銅層通過物理氣相沉積法或電化學沉積法形成。