[發(fā)明專利]一種量子芯片的封裝裝置及其制造方法和一種量子器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111009205.2
• 申請(qǐng)日: 2021-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113690363A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙勇杰;李業(yè);賈健豪;方杰;楊暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥本源量子計(jì)算科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L39/02
• 分類號(hào): H01L39/02;H01L39/04;H01L39/24;G06N10/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種量子芯片的封裝裝置，其特征在于，包括：

第一基板(1)；

第一共面波導(dǎo)傳輸線(3)，所述第一共面波導(dǎo)傳輸線(3)形成于所述第一基板(1)上，所述第一共面波導(dǎo)傳輸線(3)包括第一中心導(dǎo)帶及位于所述第一中心導(dǎo)帶兩側(cè)的第一接地導(dǎo)帶；

第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層形成于所述第一接地導(dǎo)帶上，且所述第一導(dǎo)電層與位于所述第一中心導(dǎo)帶兩側(cè)的所述第一接地導(dǎo)帶形成第一屏蔽腔，所述第一中心導(dǎo)帶位于所述第一屏蔽腔內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的量子芯片的封裝裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括：

位于所述第一接地導(dǎo)帶上的第一子層(5)；以及

位于所述第一中心導(dǎo)帶兩側(cè)的所述第一子層(5)上的第二子層(7)。

3.如權(quán)利要求2所述的量子芯片的封裝裝置，其特征在于，所述第一子層(5)和所述第一接地導(dǎo)帶之間形成有第一粘附介質(zhì)層，所述第一子層(5)和所述第二子層(7)之間形成有第二粘附介質(zhì)層。

4.如權(quán)利要求3所述的量子芯片的封裝裝置，其特征在于，還包括第二基板(6)，所述第二基板(6)和所述第一基板(1)層疊，且所述第二子層(7)形成于所述第二基板(6)在所述第一基板(1)一側(cè)的第一表面。

5.如權(quán)利要求4所述的量子芯片的封裝裝置，其特征在于，所述第一基板(1)、所述第二基板(6)均為陶瓷基板。

6.如權(quán)利要求1所述的量子芯片的封裝裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層一體成型的跨接所述第一中心導(dǎo)帶兩側(cè)的所述第一接地導(dǎo)帶。

7.如權(quán)利要求1-6任一所述的量子芯片的封裝裝置，其特征在于，所述第一基板(1)具有相對(duì)的第一基板表面和第二基板表面，且所述第一基板表面和所述第二基板表面均形成有所述第一共面波導(dǎo)傳輸線(3)。

8.如權(quán)利要求4或5所述的量子芯片的封裝裝置，其特征在于，還包括：

第二共面波導(dǎo)傳輸線，所述第二共面波導(dǎo)傳輸線形成在所述第二基板(6)背離所述第一基板(1)一側(cè)的表面,所述第二共面波導(dǎo)傳輸線包括第二中心導(dǎo)帶及位于所述第二中心導(dǎo)帶兩側(cè)的第二接地導(dǎo)帶；

第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層形成于所述第二接地導(dǎo)帶上，且所述第二導(dǎo)電層與位于所述第二中心導(dǎo)帶兩側(cè)的所述第二接地導(dǎo)帶形成第二屏蔽腔，所述第二中心導(dǎo)帶位于所述第二屏蔽腔內(nèi)。

9.一種量子器件，其特征在于，包括:

量子芯片(2)，所述量子芯片(2)上形成有共面波導(dǎo)傳輸線，所述共面波導(dǎo)傳輸線包括中心導(dǎo)帶及位于所述中心導(dǎo)帶兩側(cè)的接地導(dǎo)帶；

如權(quán)利要求1-7任一所述的量子芯片的封裝裝置，所述中心導(dǎo)帶與所述第一中心導(dǎo)帶電連接，所述接地導(dǎo)帶與所述第一接地導(dǎo)帶電連接。

10.一種量子器件，其特征在于，包括:

量子芯片(2)，所述量子芯片(2)上形成有共面波導(dǎo)傳輸線，所述共面波導(dǎo)傳輸線包括中心導(dǎo)帶及位于所述中心導(dǎo)帶兩側(cè)的接地導(dǎo)帶；

如權(quán)利要8所述的量子芯片的封裝裝置，所述中心導(dǎo)帶與所述第一中心導(dǎo)帶和/或所述第二中心導(dǎo)帶電連接，所述接地導(dǎo)帶與所述第二接地導(dǎo)帶和/或所述第二接地導(dǎo)帶電連接。

11.一種量子芯片的封裝裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基板(1)；

形成第一共面波導(dǎo)傳輸線(3)于所述第一基板(1)上，所述第一共面波導(dǎo)傳輸線(3)包括第一中心導(dǎo)帶及位于所述第一中心導(dǎo)帶兩側(cè)的第一接地導(dǎo)帶；

形成第一導(dǎo)電層于所述第一接地導(dǎo)帶上，所述第一導(dǎo)電層與位于所述第一中心導(dǎo)帶兩側(cè)的所述第一接地導(dǎo)帶形成第一屏蔽腔，所述第一中心導(dǎo)帶位于所述第一屏蔽腔內(nèi)。

12.如權(quán)利要求11所述的量子芯片的封裝裝置的制造方法，其特征在于，所述形成第一導(dǎo)電層于所述第一接地導(dǎo)帶上的步驟，包括：

形成第一子層(5)于所述第一中心導(dǎo)帶兩側(cè)的所述第一接地導(dǎo)帶上；

提供第二基板(6)；

形成第二子層(7)于所述第二基板(6)在所述第一基板(1)一側(cè)的第一表面；

焊接所述第一子層(5)與所述第二子層(7)。