[發(fā)明專利]基于全氟烷烴分解產(chǎn)物的SF6

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111006903.7
• 申請日: 2021-08-30
• 公開（公告）號: CN113702556A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊韌;張偉強(qiáng);閆靜;耿英三;劉健;汪金星;薛軍;丁彬;吳經(jīng)鋒;蘇波;崔庭東;彭亞楠;張曉;郭萌;呂厚華;楊景慧
• 申請（專利權(quán)）人: 國網(wǎng)陜西省電力公司電力科學(xué)研究院;陜西師范大學(xué);西安交通大學(xué);國網(wǎng)陜西省電力公司
• 主分類號: G01N30/74
• 分類號: G01N30/74;G01R31/12
• 代理公司: 西安永生專利代理有限責(zé)任公司 61201
• 代理人: 高雪霞

1.一種基于全氟烷烴分解產(chǎn)物的SF₆氣體開關(guān)設(shè)備絕緣缺陷判斷方法，其特征在于該方法包括下述步驟：

步驟1：采集待檢測SF₆氣體開關(guān)設(shè)備滅弧室內(nèi)部氣體；

步驟2：采用氣相色譜檢測所采集氣體中SF₆氣體分解產(chǎn)物的含量，當(dāng)所述分解產(chǎn)物包含CF₄、C₂F₆和C₃F₈中至少兩種時，說明SF₆氣體開關(guān)設(shè)備內(nèi)部存在絕緣材料故障缺陷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于全氟烷烴分解產(chǎn)物的SF₆氣體開關(guān)設(shè)備絕緣缺陷判斷方法，其特征在于：所述氣相色譜的檢測系統(tǒng)包括第一脈沖放電氦離子檢測器通道和第二脈沖放電氦離子檢測器通道；第一氦離子檢測器通道用于檢測分解產(chǎn)物CF₄和C₂F₆，第二氦離子檢測器通道用于檢測分解產(chǎn)物C₃F₈。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于全氟烷烴分解產(chǎn)物的SF₆氣體開關(guān)設(shè)備絕緣缺陷判斷方法，其特征在于該方法還包括:：

步驟3：依據(jù)SF₆氣體分解產(chǎn)物中CF₄、C₂F₆和C₃F₈的體積分?jǐn)?shù)比值，進(jìn)一步運(yùn)行判斷SF₆氣體開關(guān)設(shè)備內(nèi)部的絕緣材料故障缺陷類型，所述絕緣材料故障缺陷類型包括絕緣零部件過熱缺陷、金屬零部件異常發(fā)熱缺陷、異常電弧侵蝕缺陷；當(dāng)CF₄：C₂F₆范圍在0.1～2.1之間、CF₄：C₃F₈范圍在0.1～1.6之間、C₂F₆：C₃F₈范圍在0.8～1.8之間時，說明SF₆氣體開關(guān)設(shè)備存在絕緣零部件過熱缺陷；當(dāng)CF₄：C₂F₆范圍在2.1～3.9之間、CF₄：C₃F₈范圍在1.6～8.8之間、C₂F₆：C₃F₈范圍在0.4～1.8之間，說明SF₆氣體開關(guān)設(shè)備存在絕緣零部件過熱，同時伴隨有金屬零部件異常發(fā)熱缺陷；當(dāng)CF₄：C₂F₆范圍在3.9～12.7之間、CF₄：C₃F₈范圍在8.8～134.4之間、C₂F₆：C₃F₈范圍在1.8～12.3之間，說明SF₆氣體開關(guān)設(shè)備存在絕緣零部件過熱，同時伴隨有異常電弧侵蝕缺陷。