[發(fā)明專利]一種梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法及其產(chǎn)品

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111004798.3
• 申請(qǐng)日: 2021-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN113782712A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔大祥;王金;張芳;盧玉英;葛美英;王亞坤;焦靖華;張放為;顏雪冬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海納米技術(shù)及應(yīng)用國(guó)家工程研究中心有限公司;寧波維科電池有限公司;寧波職業(yè)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號(hào): H01M4/1393
• 分類號(hào): H01M4/1393;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525
• 代理公司: 上海東亞專利商標(biāo)代理有限公司 31208
• 代理人: 董梅

1.一種梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）制備涂炭銅箔：選取高導(dǎo)電材料作為導(dǎo)電劑，和粘結(jié)劑按一定比例混合調(diào)漿，涂在銅箔上；

2）制備不同比例的電極漿料：將硅碳活性材料，導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑按不同配比混合調(diào)漿成兩份不同濃度的漿料A和漿料B；

3）將漿料A和漿料B按照不同的順序涂在涂炭銅箔上，形成炭層-漿料層這樣的梯次結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，銅箔集流體的厚度為6-12um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，步驟1）中，導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑的質(zhì)量比為1：1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，步驟2）中，漿料A的硅碳活性材料、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑的質(zhì)量比為9：0.5：0.5；漿料B的硅碳活性材料、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑的質(zhì)量比為4：2：1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，步驟1）中，涂炭厚度為2μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，步驟2）中，漿料A的厚度為75μm，漿料B的厚度為25μm，或者，漿料A的厚度為25μm，漿料B的厚度為75μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，按下述步驟：

1）制備涂炭銅箔：選取高導(dǎo)電材料石墨烯作為導(dǎo)電劑，和粘結(jié)劑按1：1比例混合調(diào)漿，涂在銅箔上，碳層厚度為2μm，在110℃下，真空干燥后備用；

2）制備不同比例的電極漿料：將硅碳活性材料、導(dǎo)電劑Super C和粘結(jié)劑按按照9：0.5：0.5配成漿料A和4：2：1配成漿料B；

3）先將漿料A涂在涂炭銅箔上，厚度為75μm，待干燥后，涂布漿料B，厚度為25μm，得到碳層-漿料A-漿料B梯次結(jié)構(gòu)的電極，命名為電極CAB。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片的制備方法，其特征在于，按下述步驟：

1）制備涂炭銅箔：選取高導(dǎo)電材料氧化石墨烯作為導(dǎo)電劑，和粘結(jié)劑按1：1比例混合調(diào)漿，涂在銅箔上，碳層厚度為2μm，在110℃下，真空干燥后備用；

2）制備不同比例的電極漿料：將硅碳活性材料、導(dǎo)電劑Super C和粘結(jié)劑按分別按照9：0.5：0.5配成漿料A和4：2：1配成漿料B；

3）先將漿料B涂在涂炭銅箔上，厚度為25μm，待干燥后，涂布漿料A，厚度為75μm，得到碳層-漿料B-漿料A梯次結(jié)構(gòu)的電極，命名為電極CBA。

9.一種梯次結(jié)構(gòu)硅碳負(fù)極極片，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述方法制備得到。